[發明專利]一種高可靠性LED芯片及其制作方法有效
| 申請號： | 201810010056.3 | 申請日： | 2018-01-05 |
| 公開（公告）號： | CN108336207B | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發明（設計）人： | 徐亮 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 焊料層 芯片 助焊劑殘留物 高可靠性 清洗液 清洗 漏電 表面形成 導電連接 第二電極 第一電極 共晶焊接 助焊劑 去除 封裝 制作 浸潤 貫穿 應用 | ||
1.一種高可靠性LED芯片的制作方法，包括：
提供發光結構，所述發光結構包括襯底、外延層和金屬反射層，所述外延層包括依次設于所述襯底表面的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述金屬反射層設于所述第二半導體層上；
對所述發光結構進行刻蝕，形成刻蝕至第一半導體層的第一孔洞；
在所述發光結構表面沉積一層絕緣層，形成第一絕緣層，并對所述第一絕緣層進行刻蝕，形成刻蝕至金屬反射層表面的第二孔洞，并將所述第一孔洞裸露出來；
在所述第一絕緣層表面、第一孔洞和第二孔洞內沉積形成一金屬層，形成在第一孔洞上的金屬層為第一金屬層，形成在第二孔洞上的金屬層為第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設有溝槽，且所述第一金屬層和第二金屬層之間相互絕緣；
在所述第一金屬層表面、第二金屬層表面和所述溝槽上依次形成第二絕緣層和阻絕層；
對所述阻絕層和第二絕緣層進行刻蝕，形成刻蝕至第一金屬層上的第三孔洞，形成刻蝕至第二金屬層上的第四孔洞；
在所述第三孔洞內沉積形成第一焊料層，在所述第四孔洞內沉積形成第二焊料層，且所述第一焊料層和第二焊料層之間相互絕緣。
2.根據權利要求1所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述溝槽貫穿所述第一金屬層和第二金屬層，并延伸到所述第一絕緣層上。
3.根據權利要求1或2所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層之間設有兩條溝槽，且兩條溝槽之間設有金屬層。
4.根據權利要求1所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述阻絕層由SiO2、SiN和聚酰亞胺中的一種或幾種制成。
5.根據權利要求1所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述阻絕層為類金剛石薄膜。
6.根據權利要求1所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金屬反射電極層由ITO、Ag、Au、Al、Cr、Ni和Ti中的一種或幾種制成。
7.根據權利要求1或6所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層由SiC、SiO2、SiNx和SiOxNy中的一種或幾種制成。
8.根據權利要求6所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述金屬反射層是采用沉積工藝在第二半導體層表面形成的，其中，所述金屬反射層在氮氣的環境下進行高溫退火，形成歐姆接觸。
9.根據權利要求1所述的高可靠性LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第三孔洞位于第一孔洞的正上方，所述第四孔洞位于第二孔洞的正上方。
10.一種高可靠性LED芯片，包括；
襯底；
設于所述襯底表面的發光結構，所述發光結構包括依次設于所述襯底表面的第一半導體層、有源層、第二半導體層、金屬反射層和第一絕緣層；
設于第一絕緣層表面并延伸至第一半導體層的第一金屬層，設于第一絕緣層表面并延伸至金屬反射層的第二金屬層；
貫穿第一絕緣層并設置在第一金屬層和第二金屬層之間的溝槽；
依次設于第一絕緣層表面和溝槽上的第二絕緣層和阻絕層；
設于阻絕層表面并延伸至第一金屬的第一焊料層，設于阻絕層表面并延伸至第二金屬的第二焊料層，且所述第一焊料層與所述第二焊料層之間相互絕緣，所述第一焊料層位于所述第一金屬層的正上方，所述第二焊料層位于所述第二金屬層的正上方。
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