[發明專利]具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件

在審

• 申請號: 201810010047.4
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108231902A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 李琦;張昭陽;李海鷗;陳永和;張法碧;傅濤;袁雷雷
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 石燕妮

1.具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件，包括由上至下依次設置的漂移區(3)、埋層(2)、襯底(1)；所述漂移區(3)上設置有N⁺漏區(4)、漏電極(5)、柵電極(6)、源電極(7)、N⁺接觸區(8)以及P⁺源區(9)；

其特征在于：所述漂移區(3)一側的外表面上設置有縱柵；所述縱柵為多晶硅(11)和縱氧化層(12)形成的縱向的槽柵；所述槽柵延伸到埋層(2)；所述漂移區(3)內設置有p阱(10)；所述槽柵與p阱(10)形成了縱向導電溝道；

所述漂移區(3)內設置有與縱柵相連接的橫向的P型的埋層，所述P型的埋層至少具有兩個；且P型的埋層與縱柵形成并聯器件結構。

2.根據權利要求1所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：所述P型的埋層具有三個具體為：第一P型的埋層(13)、第二P型的埋層(15)以及第三P型的埋層(17)；所述第一P型的埋層(13)、第二P型的埋層(15)以及第三P型的埋層(17)與縱柵形成并聯器件結構。

3.根據權利要求2所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：所述漂移區(3)的上方設置有埋層二(20)，所述埋層二(20)上方設置有表面結構(19)。

4.根據權利要求3所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：相鄰兩個P型的埋層之間的間距相同。

5.根據權利要求4所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：與縱柵相連的P型的埋層的橫向長度相等。

6.根據權利要求4所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：與縱柵相連的P型的埋層的結構均勻摻雜濃度。

7.根據權利要求4所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：與縱柵相連的各個P型的埋層的濃度相等。

8.根據權利要求4所述的具有串聯槽柵結構的多疊層功率器件,其特征在于：所述第一P型的埋層(13)與第二P型的埋層(15)之間的漂移區(3)為第一漂移區(14)；所述第二P型的埋層(15)與第三P型的埋層(17)之間的漂移區(3)為第二漂移區(16)；所述第三P型的埋層(17)與埋層(2)之間的漂移區(3)為第三漂移區(18)；所述第一漂移區(14)、第二漂移區(16)、第三漂移區(18)的濃度相等。