[發(fā)明專利]一種3-12μm ZnS基底光學(xué)紅外增透膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810009762.6 | 申請日: | 2018-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN108330440B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫建坤;羅玉萍 | 申請(專利權(quán))人: | 昆明凱航光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/22;C23C14/34;G02B1/115 |
| 代理公司: | 蘇州中合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32266 | 代理人: | 龍濤 |
| 地址: | 650500 云南省昆明市*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 12 zns 基底 光學(xué) 紅外 增透膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種3-12μm ZnS基底光學(xué)紅外增透膜,其特征在于,鍍制在ZnS光學(xué)零件表面,該增透膜的結(jié)構(gòu)為第一層膜、第二層膜和第三層膜,其中第一層膜鍍制在ZnS表面,第一層膜為Ge膜、ZnSe膜或Si中的一種,第二層膜為YF3膜或YbF3中的一種,第三層膜為DLC膜,所述的第一層膜的厚度為λ/16-λ/2,第二層膜的厚度為λ/8-λ/2,第三層膜的厚度為λ/8-λ。
2.一種制備權(quán)利要求1所述3-12μm ZnS基底光學(xué)紅外增透膜的方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)采用離子濺射法以0.2-1.0nm/s的速率在ZnS基底表面濺射第一層膜,濺射時間10-20min;
2)再在第一層膜上以0.5-1.0nm/s的速率沉積第二層膜,濺射時間5-30min;
3)再在第二層膜上制備第三層膜,濺射時間10-60min。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備3-12μm ZnS基底光學(xué)紅外增透膜的方法,其特征在于,鍍膜前的ZnS光學(xué)零件先用丙酮清洗后,再用去離子水沖洗2-3遍,鍍膜前用分析純級酒精浸泡12h后取出。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備3-12μm ZnS基底光學(xué)紅外增透膜的方法,其特征在于,鍍膜前還包括將ZnS光學(xué)元件置于離子束濺射鍍膜機內(nèi),用700-900eV的Ar離子束進行轟擊5min。
5.一種ZnS光學(xué)零件,其特征在于,ZnS光學(xué)零件具有A、B兩面,其A面鍍有權(quán)利要求1所述的增透膜或權(quán)利要求2-4任意一項方法制備的增透膜,B面鍍有雙層增透膜,該雙層增透膜的第一層膜為Ge,第二層膜為ZnS膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ZnS光學(xué)零件,其特征在于雙層增透膜由λ/4Ge膜和λ/8ZnS膜構(gòu)成。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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