[發(fā)明專利]一種五氧化二釩薄膜的制備方法及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810009321.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-05 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108232018A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖勛文;王樂(lè)佳;沈梁鈞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波工程學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L51/48 | 分類號(hào): | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 五氧化二釩薄膜 制備 前驅(qū)體溶液 五氧化二釩 空穴傳輸層材料 應(yīng)用 二甲基亞砜 混合溶液中 均勻粗糙度 太陽(yáng)能電池 環(huán)境友好 加熱溶解 偏釩酸銨 旋涂 加熱 平整 安全 | ||
1.一種五氧化二釩薄膜的制備方法,包括如下步驟:
(1)將偏釩酸銨置于二甲基亞砜和乙二醇的混合溶劑中,加熱溶解,制得五氧化二釩的前驅(qū)體溶液;接著將該前驅(qū)體溶液自然冷卻至室溫后待用;
(2)采用旋涂的方法將該五氧化二釩的前驅(qū)體溶液旋涂在基片上;
(3)將旋涂好的膜放在加熱板上,200~300度加熱45~60min,制得所述五氧化二釩薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述二甲基亞砜和乙二醇的體積比為1∶1~3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述加熱溶解溫度為60~90℃,所述加熱溶解的時(shí)間為10~14小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述旋涂速度為3000~4000rpm/min,旋涂時(shí)間為45~65s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于:所述基片為ITO、FTO、柔性電極。
6.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的五氧化二釩薄膜,其特征在于:所述五氧化二釩薄膜的晶粒尺寸大小均勻,膜的粗糙度為3~6nm。
7.權(quán)利要求6所述五氧化二釩薄膜作為界面層材料在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用,其中所述五氧化二釩薄膜作為空穴傳輸材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用,其特征在于:所述的太陽(yáng)能電池為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,聚合物太陽(yáng)能電池。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





