[發明專利]一種納米級氧化鎵真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法在審
| 申請號: | 201810009002.5 | 申請日: | 2018-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN108264127A | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發明(設計)人: | 沈煒 | 申請(專利權)人: | 嘉興市眾盛環??萍加邢薰?/a> |
| 主分類號: | C02F1/32 | 分類號: | C02F1/32;B01J23/08;B01J35/10;C02F101/36 |
| 代理公司: | 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 吳秉中 |
| 地址: | 314500 浙江省嘉*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米級 全氟辛酸 氧化鎵 真空紫外光 催化材料 催化降解 光催化劑 半導體材料 催化活性位點 化學能 光催化降解 催化活性 光生電子 吸收能力 紫外區域 氧化稼 乙二胺 降解 束狀 制備 鎵鹽 光源 添加劑 生長 暴露 | ||
1.一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于
由以下步驟組成:
1)將水和乙二胺以一定的比例進行混合,將鎵鹽加入上述混合液中配制一定濃度的鎵鹽溶液,并將pH調節至堿性;
2)將步驟1)制得的鎵鹽溶液置于水熱反應釜中,密封后放置于恒溫干燥箱中,以恒定的溫度加熱,反應一定時間后,取出反應釜冷卻至室溫,將反應釜內產物離心得到沉淀物,用去離子水洗滌,所得沉淀物在40-80℃烘箱中干燥后得到納米級β-Ga2O3前驅物備用;
3)將步驟2)制得的前驅物置于馬弗爐中,在氮氣氣氛下,以恒定的升溫速率升溫至250-1200℃,恒溫焙燒一定時間即可得到納米級β-Ga2O3材料,材料經研磨過篩網后即得納米級氧化鎵光催化劑;
4)將含全氟辛酸污染物的廢水倒入光催化反應器中,以0.05-1g/L的用量加入步驟3)制得的納米級β-Ga2O3光催化劑,氧氣經過布氣裝置均勻進入反應器,打開發射185nm真空紫外線的低壓汞燈作為光源,避光反應10-200min,定時取樣檢測。
2.如權利要求1所述的一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于步驟1)中水與乙二胺比例為體積比為1:10-100:1;所述的鎵鹽為硝酸鎵或氯化鎵中的任一種,混合液中活性組分Ga含量為0.01mol/L-0.5mol/L。
3.如權利要求1所述的一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于步驟1)中以氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氨水中的一種或一種以上為堿源,調節混合液pH為8-11。
4.如權利要求1所述的一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于步驟2)中所述的加熱溫度為50-200℃,反應時間為0.5-10h,干燥時間為2-8h。
5.如權利要求1所述的一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于步驟3)中恒定升溫速率為1-5℃/min,恒溫焙燒時間為1-5h,研磨后的材料過400目篩網。
6.如權利要求1所述的一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于步驟4)中處理廢水中的全氟辛酸含量為5-200mg/L,通氣量為5-30ml/(min·L)。
7.如權利要求1所述的一種納米級氧化稼真空紫外光催化降解全氟辛酸的方法,其特征在于步驟4)中光催化反應器外層設置循環水保溫層,紫外光燈管采用石英套管與反應液隔離。
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