[發明專利]一種低噪聲微波放大器電路

在審

• 申請號: 201810008994.X
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN108183693A
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 孫江濤;王宇晨;李楊陽
• 申請（專利權）人: 翰通飛芯（常州）電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/52
• 分類號: H03F1/52;H03F1/26;H03F3/193
• 代理公司: 北京馳納智財知識產權代理事務所(普通合伙) 11367
• 代理人: 蔣路帆

1.一種低噪聲微波放大器電路，包括使能控制輸入端口(1)、射頻輸入端口(2)、射頻輸出端口(3)、一號直流電源端口(4)、低噪聲微波放大器電路(5)、門限判決電路(6)和偏置輸出電路(7)，所述偏置輸出電路(7)包括偏置電路的輸出端口(71)和偏置電路的輸入端口(72)，其特征在于：所述門限判決電路(6)包括二號直流電源端口(61)、使能信號輸入端口(62)、輸出端口(63)、一號N型場效應晶體管(64)、第一電阻器(R1)、二號N型場效應晶體管(65)、第二電阻器(R2)、流過二號N型場效應晶體管(65)的電流(I2)和流過一號N型場效應晶體管(64)的電流(I1)，所述一號N型場效應晶體管(64)包括一號N型場效應晶體管的源極端(641)、一號N型場效應晶體管的柵極端(642)和一號N型場效應晶體管的漏極端(643)，所述二號N型場效應晶體管(65)包括二號N型場效應晶體管的漏極端(651)、二號N型場效應晶體管的源極端(652)和二號N型場效應管的柵極端(653)，所述使能信號輸入端口(62)的一端與使能控制輸入端口(1)相連接，所述使能信號輸入端口(62)的另一端與第二電阻器(R2)的一端相連接，所述第二電阻器(R2)的另一端與二號N型場效應晶體管的源極端(652)相連接，所述二號N型場效應晶體管的漏極端(651)與二號直流電源端口(61)相連接，所述二號直流電源端口(61)同時和第一電阻器(R1)的一端相連接，所述第一電阻器(R1)的另一端與一號N型場效應晶體管的漏極端(643)相連接，所述一號N型場效應晶體管的源極端(641)接入大地，所述一號N型場效應晶體管的柵極端(642)接入二號N型場效應晶體管的源極端(652)和第二電阻器(R2)之間，所述二號N型場效應管的柵極端(653)接入第一電阻器(R1)和一號N型場效應晶體管的漏極端(643)之間，所述二號N型場效應管的柵極端(653)、一號N型場效應晶體管的漏極端(643)和第一電阻器(R1)均與輸出端口(63)相連接。

2.根據權利要求1所述的一種低噪聲微波放大器電路，其特征在于：所述輸出端口(63)與偏置電路的輸入端口(72)相連接。

3.根據權利要求2所述的一種低噪聲微波放大器電路，其特征在于：所述低噪聲微波放大器電路(5)包括三號N型場效應晶體管(51)、第一電感器(52)、第二電感器(53)、第三電感器(54)、輸出電容器(55)、輸入電容器(56)和偏置電阻器(57)，所述三號N型場效應晶體管(51)包括三號N型場效應晶體管的源極端(511)、三號N型場效應晶體管的漏極端(512)和三號N型場效應晶體管的柵極端(513)，所述輸入電容器(56)一端與射頻輸入端口(2)相連接，另一端與第一電感器(52)相連接，所述第一電感器(52)的另一端與三號N型場效應晶體管的柵極端(513)相連接，所述偏置電阻器(57)的一端并聯接在第一電感器(52)和輸入電容器(56)之間，所述偏置電阻器(57)的另一端與偏置電路的輸出端口(71)相連接，所述第二電感器(53)的一端與三號N型場效應晶體管的源極端(511)相連接，另一端接地，所述第三電感器(54)和輸出電容器(55)并聯接入到三號N型場效應晶體管的漏極端(512)上，所述第三電感器(54)的另一端與一號直流電源端口(4)相連接，所述輸出電容器(55)的另一端與射頻輸出端口(3)相連接。

4.根據權利要求3所述的一種低噪聲微波放大器電路，其特征在于：所述一號N型場效應晶體管(64)、二號N型場效應晶體管(65)和三號N型場效應晶體管(51)的物理結構類型均為結型場效應晶體管，金屬-氧化物半導體場效應晶體管，異質結場效應晶體管或其他場效應晶體管。

5.根據權利要求4所述的一種低噪聲微波放大器電路，其特征在于：所述一號N型場效應晶體管(64)、二號N型場效應晶體管(65)和三號N型場效應晶體管(51)的構成材料均為硅，鍺，砷化鎵，氮化鎵，磷化銦，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體或者其他摻雜半導體材料中一種或者多種。