[發明專利]一種信息處理方法以及電子設備在審
| 申請號: | 201810008775.1 | 申請日: | 2014-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN108052197A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 劉鑫全;紀綱;蔣曉華 | 申請(專利權)人: | 聯想(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/32 | 分類號: | G06F1/32 |
| 代理公司: | 北京金信知識產權代理有限公司 11225 | 代理人: | 黃威;佛新瑜 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 信息處理 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種信息處理方法,應用于電子設備,所述電子設備包括第二非易失性存儲單元,所述方法包括:
在所述電子設備處于第一狀態時,獲得第一指令,其中,在所述第一狀態下所述第二非易失性存儲單元處于被供電狀態,所述第二非易失性存儲單元至少存儲所述操作系統運行時的至少部分系統運行數據;
基于所述第一指令,所述電子設備切換至第二狀態,其中在所述第二狀態下所述第二非易失性存儲單元處于未被供電狀態,所述第二非易失性存儲單元存儲獲得所述第一指令前所述第二非易失性存儲單元中的所述系統運行數據,以使得所述電子設備在所述第二狀態下,能獲得并依據第二指令,根據所述第二非易失性存儲單元中存儲的所述系統運行數據,將所述電子設備切換至所述第一狀態。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述電子設備還包括第一非易失性存儲單元,所述第一非易失性存儲單元的第一讀寫速度低于所述第二非易失性存儲單元的第二讀寫速度,且所述第一非易失性存儲單元至少能存儲操作系統的源程序數據;
所述電子設備在處于第一狀態時運行操作系統,在所述電子設備處于所述第一狀態之前,所述方法還包括:將所述第一非易失性存儲單元中存儲的所述操作系統的源程序數據中的至少一部分數據復制到所述第二非易失性存儲單元中并運行,并將所述至少一部分數據的運行數據存儲在所述第二非易失性存儲單元中,以使得所述電子設備進入所述第一狀態。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,
所述電子設備還包括易失性存儲單元,所述易失性存儲單元的第三讀寫速度高于所述第一讀寫速度,所述易失性存儲單元在所述操作系統運行時至少能存儲所述至少部分系統運行數據,其中,在所述第一狀態下所述易失性存儲單元處于被供電狀態,在所述第二狀態下所述易失性存儲單元處于未被供電狀態。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,
所述第一非易失性存儲單元內還存儲有至少一個應用程序的源程序數據,在所述電子設備處于所述第一狀態時,所述操作系統運行時的系統運行數據存儲在所述第二非易失性存儲單元中,所述至少一個應用程序中任意一個或者多個應用程序運行時的應用運行數據存儲在所述易失性存儲單元中;
在所述電子設備處于所述第一狀態時,所述系統運行數據與所述應用運行數據的數據量之和大于所述第二非易失性存儲單元的存儲容量;以及,在所述電子設備處于運行操作系統的第一狀態之后,在所述獲得所述第一指令之前,或在所述根據所述第二非易失性存儲單元中存儲的所述系統運行數據,將所述電子設備切換至所述第一狀態之后,所述方法還包括:獲得第三指令;基于所述第三指令,所述電子設備切換至不運行所述操作系統的第三狀態,其中在所述第三狀態下所述第一非易失性存儲單元、所述第二非易失性存儲單元和所述易失性存儲單元處于未被供電狀態,所述第二非易失性存儲單元未存儲獲得所述第三指令前所述第二非易失性存儲單元中的所述系統運行數據;在所述第三狀態下,獲得第四指令;基于所述第四指令,所述電子設備切換至運行所述操作系統的第四狀態,其中在所述第四狀態下,所述第二非易失性存儲單元內只存儲所述操作系統運行時的所述系統運行數據,所述第一非易失性存儲單元和所述第二非易失性存儲單元處于被供電狀態,所述易失性存儲單元處于未被供電狀態,以使得所述電子設備能夠刪除或卸載所述至少一個應用程序中的任一應用程序。
5.如權利要求3所述的方法,其特征在于,
所述第一非易失性存儲單元內還存儲有至少一個應用程序的源程序數據,在所述電子設備處于所述第一狀態時,所述操作系統運行時的系統運行數據存儲在所述第二非易失性存儲單元中,所述至少一個應用程序中任意一個或者多個應用程序運行時的應用運行數據存儲在所述易失性存儲單元中;以及,
在所述電子設備處于運行操作系統的第一狀態之后,在所述獲得所述第一指令之前,或在所述根據所述第二非易失性存儲單元中存儲的所述系統運行數據,將所述電子設備切換至所述第一狀態之后,所述方法還包括:獲得第五指令,并基于所述第五指令,停止對所述易失性存儲單元供電,使得所述電子設備進入第五狀態,以使得所述電子設備能夠刪除或卸載所述至少一個應用程序中的任一應用程序,其中在所述第五狀態下,所述第一非易失性存儲單元和所述第二非易失性存儲單元處于被供電狀態,所述易失性存儲單元處于未被供電狀態。
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