[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810008000.4
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN108054269B
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 廣西東科視創(chuàng)光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60
• 代理公司: 深圳市添源知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44451
• 代理人: 黎健任

1.一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括一基座、設(shè)于該基座上的發(fā)光二極管芯片及罩設(shè)于該發(fā)光二極管芯片上的一透鏡，其特征在于，該透鏡其用于對發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線進(jìn)行調(diào)節(jié)，該透鏡包括入光面及出光面，該出光面位于該透鏡的側(cè)向且環(huán)繞該入光面，該透鏡還包括一反射面，該反射面的中部向該入光面凹陷，該反射面的邊緣與該出光面相連，該反射面同時傾斜朝向該入光面及出光面，自該入光面射入該透鏡的光線一部分射向該反射面，另一部分直接由出光面射出，該反射面的反射率大于折射率，射向該反射面的一部分光線被反射至該出光面射出透鏡，射向該反射面的另一部分光線直接從反射面射出透鏡外部，該出光面的透射率大于反射率；該反射面呈漏斗狀，在該反射面的邊緣形成一環(huán)形的水平端緣，該水平端緣與該出光面之間形成一環(huán)形的過渡曲面，該水平端緣與該出光面通過該過渡曲面平滑連接，過渡曲面的反射率大于透射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該反射面的中心處形成一最低點(diǎn)，該最低點(diǎn)正對該入光面的中心。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該反射面具有一V形的截面，該V形截面包括兩條匯聚于該最低點(diǎn)的弧線，每一弧線的最小曲率為0.0642，最大曲率為0.1920，每一弧線相對于入光面的中心的斜率自該最低點(diǎn)向外逐漸變小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該反射面的邊緣斜率為0。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該透鏡包括近光端及遠(yuǎn)光端，該近光端呈圓柱狀，該遠(yuǎn)光端呈圓臺狀，該近光端與遠(yuǎn)光端共軸，該入光面形成于該近光端的底部，該近光端的頂部與該遠(yuǎn)光端的底部連接，該反射面形成于該遠(yuǎn)光端的頂部，該近光端的圓周面形成一第一出光面，該遠(yuǎn)光端的圓周面上形成一第二出光面，第一出光面與第二出光面相鄰且共同組成該出光面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該近光端的外徑自該入光面所在的一側(cè)向遠(yuǎn)光端所在一側(cè)逐漸增大，該遠(yuǎn)光端的外徑自該遠(yuǎn)光端與該近光端連接一端向另一端逐漸增大，該遠(yuǎn)光端的最小外徑大于該近光端的最大外徑，從而于第一出光面與第二出光面之間形成一環(huán)形臺階。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該近光端的底部形成一底壁，該底壁上形成一凹槽，該凹槽由淺到深包括一第一槽部及一第二槽部，其中該第一槽部呈矩形，該第二槽部呈圓餅狀，該第二槽部的內(nèi)壁與該第一槽部的內(nèi)部呈相切關(guān)系，該第二槽部的底部形成該入光面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，底壁上于凹槽的相對兩側(cè)各設(shè)有一凸起部，每一凸起部呈拱形，每一凸起部的拱面與近光端的第一出光面平滑連接，該兩凸起部之間形成一缺槽，每一凸起部的中部設(shè)有沿該透鏡的軸向延伸的一凸柱。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該入光面包括位于中部的第一入光部及圍繞于該第一入光部外圍的第二入光部，該第二入光部自該第一入光部的邊緣向遠(yuǎn)光端所在的一側(cè)傾斜延伸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片正對該入光面。