[發(fā)明專利]襯底處理設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810007884.1
• 申請(qǐng)日: 2018-01-04
• 公開（公告）號(hào): CN108630594B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔圣廈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社EUGENE科技
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

本發(fā)明涉及一種能夠阻擋顆粒從襯底的下部部分落到下部襯底的表面的襯底處理設(shè)備。根據(jù)示范性實(shí)施例的襯底處理設(shè)備可包含：襯底舟，其包含以多級(jí)方式連接到多個(gè)棒的多個(gè)中空板，其中多個(gè)襯底分別加載于多個(gè)中空板上；反應(yīng)管，其具有容納襯底舟的容納空間；氣體供應(yīng)部分，其被配置成從反應(yīng)管的一側(cè)供應(yīng)處理氣體到反應(yīng)管中；以及排氣部分，其被配置成從反應(yīng)管的另一側(cè)排出反應(yīng)管中的處理殘余物。每個(gè)中空板可包含界定豎直通過(guò)的中空部分的邊緣部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種襯底處理設(shè)備，并且更具體地說(shuō)，涉及一種能夠阻擋顆粒從襯底的下部部分落到下部襯底的表面的襯底處理設(shè)備。

背景技術(shù)

一般來(lái)說(shuō)，襯底處理設(shè)備分類成能夠針對(duì)一個(gè)襯底執(zhí)行襯底處理過(guò)程的單晶片類型設(shè)備，以及能夠同時(shí)針對(duì)多個(gè)襯底執(zhí)行襯底處理過(guò)程的批量型設(shè)備。此單晶片類型襯底處理設(shè)備具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，但產(chǎn)率低。因此，廣泛使用能夠規(guī)模化生產(chǎn)襯底的批量型襯底處理設(shè)備。

典型的批量型襯底處理設(shè)備通過(guò)豎直堆疊多個(gè)襯底來(lái)執(zhí)行處理。此處，當(dāng)襯底加載到襯底舟(substrate boat)或從襯底舟卸載時(shí)，從襯底的下部部分產(chǎn)生的顆粒或當(dāng)在襯底處理過(guò)程中加載襯底時(shí)產(chǎn)生的顆粒可落到下部襯底上。為了解決此局限性，嘗試一種阻擋從襯底的下部部分產(chǎn)生的顆粒通過(guò)空間分割板的方法。然而，仍未解決從空間分割板的底部表面產(chǎn)生的顆粒或在加載期間產(chǎn)生的顆粒落在襯底上的局限性。

特定來(lái)說(shuō)，在選擇性外延生長(zhǎng)(selective epitaxial growth，SEG)過(guò)程中重復(fù)沉積和蝕刻，其中在半導(dǎo)體襯底的預(yù)定區(qū)域上形成例如氧化物層和氮化物層的絕緣層，暴露半導(dǎo)體襯底的所述預(yù)定區(qū)域，并且，僅在半導(dǎo)體的所述暴露的預(yù)定區(qū)域中，生長(zhǎng)具有相同晶體結(jié)構(gòu)的均相或異相半導(dǎo)體層。歸因于此，由過(guò)程副產(chǎn)物引起的顆粒在沉積過(guò)程期間附著到空間分割板的底部表面且由于在蝕刻過(guò)程期間從空間分割板的底部表面蝕刻而降落，這引起更嚴(yán)苛的限制。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

韓國(guó)專利公開案第10-2013-0069310號(hào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種能夠阻擋顆粒落在下部襯底的表面上以防止對(duì)下部襯底的污染的襯底處理設(shè)備。

根據(jù)示范性實(shí)施例，一種襯底處理設(shè)備包含：襯底舟，其包含以多級(jí)(multistage)方式連接到多個(gè)棒的多個(gè)中空板，其中多個(gè)襯底分別加載于多個(gè)中空板上；反應(yīng)管，其具有容納襯底舟的容納空間；氣體供應(yīng)部分，其被配置成從反應(yīng)管的一側(cè)供應(yīng)處理氣體到反應(yīng)管中；以及排氣部分，其被配置成從反應(yīng)管的另一側(cè)排出反應(yīng)管中的處理殘余物。中空板中的每個(gè)中空板包含邊緣部分，所述邊緣部分界定豎直穿過(guò)其的中空部分。

在示范性實(shí)施例中，中空板可另外包含配置于邊緣部分的頂部表面上以支撐襯底的多個(gè)支撐銷。

在示范性實(shí)施例中，中空板可另外包含分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)支撐銷并且安置成與邊緣部分的頂部表面上的支撐銷相比更靠?jī)?nèi)的多個(gè)阻擋壁。

在示范性實(shí)施例中，阻擋壁的高度可小于支撐銷的高度。

在示范性實(shí)施例中，中空板可另外包含敞開邊緣部分的至少一側(cè)的切口部分。

在示范性實(shí)施例中，邊緣部分可沿著襯底的邊緣延伸。

在示范性實(shí)施例中，中空部分的表面積可大于邊緣部分的與加載的襯底重疊的部分的表面積。

在示范性實(shí)施例中，處理氣體可包含薄膜沉積原料氣體和蝕刻氣體。

在示范性實(shí)施例中，襯底可為含有第一元素的單晶體，且薄膜沉積原料氣體可含有第一元素。

在示范性實(shí)施例中，可在多個(gè)棒中分別界定多個(gè)中空板插入其中的多個(gè)槽。

附圖說(shuō)明