[發明專利]雙端口靜態隨機存取存儲器單元

有效

• 申請號: 201810007557.6
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN110010169B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 呂添裕;黃俊憲;龍鏡丞;郭有策;陳壽賢;新居浩二;石井雄一郎
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08;G11C11/417
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元，其包含一第一電源線、一第一位線以及一第二位線。第一電源線設置于一第一字線及一第二字線之間。第一位線設置于第一電源線及第一字線之間。第二位線設置于第一電源線及第二字線之間。

技術領域

本發明涉及一種靜態隨機存取存儲器單元(static random access memorycell，SRAM)，尤其是涉及一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元(dual Port static randomaccess memory cell，DPSRAM)。

背景技術

在一靜態隨機存取存儲器(static random access memory,embedded SRAM)中，包含有邏輯電路(logic circuit)和與邏輯電路連接的靜態隨機存取存儲器。靜態隨機存取存儲器本身屬于一種揮發性(volatile)的存儲單元(memory cell)，亦即當供給靜態隨機存取存儲器的電力消失之后，所存儲的數據會同時抹除。靜態隨機存取存儲器存儲數據的方式是利用存儲單元內晶體管的導電狀態來達成，靜態隨機存取存儲器的設計是采用互耦合晶體管為基礎，沒有電容器放電的問題，不需要不斷充電以保持數據不流失，也就是不需作存儲器更新的動作，這與同屬揮發性存儲器的動態隨機存取存儲器(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)利用電容器帶電狀態存儲數據的方式并不相同。靜態隨機存取存儲器的存取速度相當快，因此有在電腦系統中當作快取存儲器(cache memory)等的應用。

發明內容

本發明提出一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元，其具有對稱的金屬內連線分布，因而可在相同的布局面積下提升讀取速度及改善位線耦合效應。

本發明提供一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元，其中包含一第一電源線、一第一位線、一第二位線、另一第一電源線、一第一對應位線、一第二對應位線以及一第二電源線。第一電源線設置于一第一字線及一第二字線之間。第一位線設置于第一電源線及第一字線之間。第二位線設置于第一電源線及第二字線之間，其中第一電源線、第一字線、第二字線、第一位線及第二位線構成一第一群組。另一第一電源線設置于另一第一字線及另一第二字線之間。第一對應位線設置于另一第一電源線及另一第一字線之間。第二對應位線設置于另一第一電源線及另一第二字線之間，其中另一第一電源線、另一第一字線、另一第二字線、第一對應位線及第二對應位線構成一第二群組。第二電源線設置于第一群組及第二群組之間，其中另一第一電源線、另一第一字線、另一第二字線、第一對應位線以及第二對應位線以第二電源線鏡像對稱第一電源線、第一字線、第二字線、第一位線以及第二位線。

本發明提供一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元，其中包含：一第一位線、一第二位線、二第一電源線、一第一對應位線、一第二對應位線、另二第一電源線以及一第二電源線。第一位線以及一第二位線設置于一第一字線及一第二字線之間，其中第一位線鄰近第一字線，而第二位線鄰近第二字線。二第一電源線分別設置于第一位線及第一字線之間，第二位線及第二字線之間，其中第一位線、第二位線、第一字線、第二字線及二第一電源線構成一第一群組。第一對應位線以及第二對應位線設置于另一第一字線及另一第二字線之間，其中第一對應位線鄰近另一第一字線，而第二對應位線鄰近另一第二字線。另二第一電源線分別設置于第一對應位線及另一第一字線之間，第二對應位線及另一第二字線之間，其中第一對應位線、第二對應位線、另一第一字線、另一第二字線及另二第一電源線構成一第二群組。第二電源線設置于第一群組及第二群組之間，其中第一對應位線、第二對應位線、另一第一字線、另一第二字線以及另二第一電源線以第二電源線鏡像對稱第一位線、第二位線、第一字線、第二字線以及二第一電源線。

基于上述，本發明提供一種雙端口靜態隨機存取存儲器單元，其包含一第一電源線位于一第一字線及一第二字線之間，一第一位線位于第一電源線及第一字線之間以及一第二位線位于第一電源線及第二字線之間。因此，本發明的雙端口靜態隨機存取存儲器單元的金屬內連線布局具有對稱性，故能產生對稱分布的讀取電流(Iread)，如此可在相同的布局面積下提升讀取速度、降低阻抗并改善位線耦合效應。

附圖說明