[發(fā)明專利]一種顯示面板、其彎折方法及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810007457.3 | 申請日: | 2018-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN108155219A | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊恕權;詹志鋒;黃鵬;王研鑫 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎折區(qū) 顯示面板 拐點處 顯示區(qū) 走線區(qū) 彎折 金屬走線 彎折中心 顯示裝置 保護層 拐點 應力作用 邊界處 斷線 減小 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:顯示區(qū),走線區(qū),以及連接所述顯示區(qū)與所述走線區(qū)的彎折區(qū);其中,
所述彎折區(qū)包括:第一邊緣和第二邊緣;
所述第一邊緣為所述彎折區(qū)與所述顯示區(qū)或所述走線區(qū)連接的邊緣;所述第二邊緣為所述彎折區(qū)除所述第一邊緣以外的邊緣;
至少一個所述第二邊緣包括拐點,且所述第二邊緣在所述拐點處凹向所述彎折區(qū)的內(nèi)部。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述彎折區(qū)的兩個所述第二邊緣均包括拐點。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述彎折區(qū)的兩個所述第二邊緣相對于所述彎折區(qū)的第一中心軸線對稱。
4.如權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,每一個所述第二邊緣中,存在一個所述拐點位于所述彎折區(qū)的第二中心軸線上;所述第一中心軸線與所述第二中心軸線相互垂直。
5.如權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述彎折區(qū)的兩個所述第二邊緣相對于所述彎折區(qū)的第二中心軸線對稱。
6.如權利要求1~5任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述彎折區(qū)的兩個所述第二邊緣為弧線,折線或由弧線和折線連接而構成的曲線。
7.如權利要求1~5任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板在顯示面的一側設有緩沖層,以及在背離所述顯示面的一側設有保護層;
所述緩沖層在所述顯示面板上的正投影與所述彎折區(qū)具有交疊區(qū)域,所述保護層包括凹槽結構,所述凹槽結構在所述顯示面板上的正投影位于所述彎折區(qū)內(nèi)部。
8.如權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述緩沖層上設有用于緩沖所述彎折區(qū)的彎折應力的緩沖結構。
9.如權利要求1~5任一項所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板為柔性顯示面板。
10.一種如權利要求1~9任一項所述的顯示面板的彎折方法,其特征在于,包括:
提供一顯示面板;所述顯示面板包括:顯示區(qū),走線區(qū),以及連接所述顯示區(qū)與所述走線區(qū)的彎折區(qū);
對所述彎折區(qū)的第二邊緣進行處理,以使至少一個所述第二邊緣包括拐點,且所述第二邊緣在所述拐點處凹向所述彎折區(qū)的內(nèi)部;
沿所述彎折區(qū)彎折所述顯示面板。
11.如權利要求10所述的彎折方法,其特征在于,所述對所述彎折區(qū)的第二邊緣進行處理,包括:
采用激光切割或磨具沖切工藝對所述彎折區(qū)的所述第二邊緣進行處理。
12.如權利要求10所述的彎折方法,其特征在于,所述彎折區(qū)的兩個所述第二邊緣相對于所述彎折區(qū)的第一中心軸線對稱;
所述沿所述彎折區(qū)彎折所述顯示面板,包括:
以所述彎折區(qū)的兩個所述第二邊緣中的所述拐點為彎折中心,彎折所述顯示面板。
13.如權利要求12所述的彎折方法,其特征在于,每一個所述第二邊緣中,存在一個所述拐點位于所述彎折區(qū)的第二中心軸線上;
所述沿所述彎折區(qū)彎折所述顯示面板,包括:
以所述彎折區(qū)的所述第二中心軸線為彎折中心,彎折所述顯示面板。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括:如權利要求1~9任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





