[發明專利]數據儲存裝置以及非揮發式存儲器操作方法有效
| 申請號: | 201810007284.5 | 申請日: | 2018-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN109726138B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發明(設計)人: | 張明宏;彭芳儀 | 申請(專利權)人: | 慧榮科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳亮 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據 儲存 裝置 以及 發式 存儲器 操作方法 | ||
本發明涉及高效的數據儲存裝置以及非揮發式存儲器操作方法,其中以一微處理器以及至少一揮發式存儲器操作一非揮發式存儲器。微處理器于揮發式存儲器上規劃一快取區。根據主機下達的一非同步事件要求,微處理器以該快取區收集主機下達的多筆寫入數據,使上述多筆寫入數據是集合自該快取區程式化至非揮發式存儲器,且程式化錯誤是由該微處理器以一非同步事件要求完成信息回報該主機。
技術領域
本發明有關于數據儲存裝置以及其中非揮發式存儲器的操作方法。
背景技術
非揮發式存儲器有多種形式─例如,快閃存儲器(flash memory)、磁阻式隨機存取存儲器(Magnetoresistive RAM)、鐵電隨機存取存儲器(Ferroelectric RAM)、電阻式隨機存取存儲器(Resistive RAM)、自旋轉移力矩隨機存取存儲器(Spin Transfer Torque-RAM,STT-RAM)…等,用于長時間數據保存。一非揮發式存儲器可與一控制器結合成一數據儲存裝置,由一主機操作。
為了使非揮發式存儲器上儲存單元的損耗平均,非揮發式存儲器的物理空間是動態配置使用。非揮發式存儲器的物理空間是動態配置對應主機端識別用的邏輯地址。邏輯地址以及物理空間之間的對應關系需以映射表管理。數據成功寫入非揮發式存儲器與否需被及時回報,以確保映射表上的資訊正確。但頻繁回報寫入狀況有可能拖累非揮發式存儲器操作效能。
發明內容
根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置包括一非揮發式存儲器以及一控制器。該控制器包括一微處理器以及至少一揮發式存儲器,用以操作該非揮發式存儲器。該微處理器于上述揮發式存儲器上規劃一快取區。根據一主機下達的一非同步事件要求,該微處理器以該快取區收集該主機下達的多筆寫入數據,使上述多筆寫入數據是集合自該快取區程式化至該非揮發式存儲器,且程式化錯誤是由該微處理器以一非同步事件要求完成信息回報該主機。
根據本發明一種實施方式實現的一種非揮發式存儲器操作方法,包括:提供至少一揮發式存儲器;于上述揮發式存儲器上規劃一快取區;令一主機發出一非同步事件要求;且根據該非同步事件要求,以該快取區收集該主機下達的多筆寫入數據,使上述多筆寫入數據是集合自該快取區程式化至一非揮發式存儲器,且程式化錯誤是以一非同步事件要求完成信息回報該主機。
下文特舉實施例,并配合附圖,詳細說明本發明內容。
附圖說明
圖1為方塊圖,圖解根據本發明一種實施方式所實現的一數據儲存裝置100;
圖2根據本發明一種實施方式圖解一種開放通道架構;以及
圖3A、3B為流程圖,圖解主機106如何寫入數據至快閃存儲器102。
符號說明
100~數據儲存裝置;
102~快閃存儲器;
104~控制器;
106~主機:
112~微處理器;
114~靜態隨機存取存儲器(SRAM);
116~動態隨機存取存儲器(DRAM);
118~快取區;
120~錯誤日志;
FTL~快閃存儲器轉換層;
NFC~非及閘快閃存儲器控制器;
NVMe~非揮發式存儲器快速介面;以及
S302…S320~步驟。
具體實施方式
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