[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置及制造半導(dǎo)體封裝裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810007268.6
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN108573895B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉昶麟
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括：

襯底；

封裝主體，其安置在所述襯底上，所述封裝主體具有第一部分及安置在所述第一部分上面的第二部分；

導(dǎo)電層，其安置在所述封裝主體的所述第一部分上且電連接到所述襯底；

介電層，其安置在所述導(dǎo)電層上；

磁性層，其安置在所述介電層上；

第一絕緣層，其安置在所述磁性層上；以及

線圈，其安置在所述第一絕緣層上，其中所述線圈具有與所述磁性層電連接的第一端子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述線圈進(jìn)一步包括通過第一導(dǎo)電組件與所述襯底電連接的第二端子，且其中所述第一導(dǎo)電組件與所述磁性層、所述介電層及所述導(dǎo)電層間隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述導(dǎo)電層通過所述封裝主體的所述第一部分內(nèi)的第二導(dǎo)電組件與所述襯底電連接，所述第一導(dǎo)電組件安置在所述封裝主體的所述第二部分中，且所述線圈的所述第二端子經(jīng)由所述第一導(dǎo)電組件及所述封裝主體的所述第一部分內(nèi)的第三導(dǎo)電組件與所述襯底電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括安置在所述襯底上且由所述封裝主體的所述第一部分囊封的電子組件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述線圈、所述磁性層、所述介電層及所述導(dǎo)電層均在所述電子組件上面且由所述封裝主體的所述第二部分囊封。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述磁性層的部分從所述第一絕緣層暴露，且所述線圈的所述第一端子與所述磁性層的所述暴露部分電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述封裝主體的所述第一部分及所述封裝主體的所述第二部分是在單個過程中形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述線圈的所述第一端子及所述導(dǎo)電層為電容耦合。

9.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括：

襯底；

封裝主體，其安置在所述襯底上，所述封裝主體具有第一部分及在所述第一部分上面的第二部分；

第一導(dǎo)電層，其安置在所述封裝主體的所述第一部分上且電連接到所述襯底；

介電層，其安置在所述第一導(dǎo)電層上；

第二導(dǎo)電層，其安置在所述介電層上；

線圈，其安置在所述第二導(dǎo)電層上方，其中所述線圈具有與所述第二導(dǎo)電層電連接的第一端子；以及

第一絕緣層，其介于所述線圈與所述第二導(dǎo)電層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝裝置，更包括磁性層，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上與所述線圈之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括：

第二絕緣層，其介于所述磁性層與所述線圈之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述第二導(dǎo)電層的部分從所述磁性層暴露，且所述線圈的所述第一端子與所述第二導(dǎo)電層的所述暴露部分電連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝裝置其中所述線圈進(jìn)一步包括通過第一導(dǎo)電組件與所述襯底電連接的第二端子，且其中所述第一導(dǎo)電組件與所述介電層、所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層間隔開。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述第一導(dǎo)電層通過所述封裝主體的所述第一部分內(nèi)的第二導(dǎo)電組件與所述襯底電連接，所述第一導(dǎo)電組件安置在所述封裝主體的所述第二部分中，且所述線圈的所述第二端子經(jīng)由所述第一導(dǎo)電組件及所述封裝主體的所述第一部分內(nèi)的第三導(dǎo)電組件與所述襯底電連接。