[發(fā)明專利]移動設備的防護電路、移動設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810005704.6
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號: CN109995007A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 林雪;劉立婷
• 申請（專利權(quán)）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02J7/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 江舟;董文倩

本發(fā)明提供了一種移動設備的防護電路、移動設備，其中，移動設備的防護電路包括：MOS管，包括：與輸入端連接的源極，與輸出端連接的漏極，與接地電阻連接的柵極；寄生電容，連接在所述柵極和所述源極之間，用于在所述輸入端接收到?jīng)_擊信號時，開啟所述MOS管。通過本發(fā)明，解決了相關技術中電源端口直流耐壓低的技術問題。

技術領域

本發(fā)明涉及電路領域，具體而言，涉及一種移動設備的防護電路、移動設備。

背景技術

相關技術中，便攜可充電終端產(chǎn)品的充電端口防護，通常采用壓敏電阻，普通TVS(瞬態(tài)抑制二極管，或瞬態(tài)防護二極管)，可支持瞬態(tài)防護的TVS等。從客退反饋的情況看，經(jīng)常會出現(xiàn)電源芯片，充電芯片相關引腳損壞的故障。目前充電端口的物理形態(tài)以及協(xié)議標準沒有統(tǒng)一的標準，各家的充電器對瞬態(tài)沖擊的防護能力也沒有明確要求，混用充電器的情況非常普遍，從失效分析的實際情況來看，確實存在充電端口的過能量損壞。這種損壞可能是過壓，也可能是過流。可能是直流過壓，也可能是瞬態(tài)過壓。由于各地電網(wǎng)情況不同，充電端口協(xié)議不統(tǒng)一，市場上各類充電器對過壓防護的要求不統(tǒng)一，用戶存在混用充電器的情況等，便攜設備充電端口的防護一直以來都是一個難題，無解決方案。

針對充電端口導致的電源芯片損壞，相關技術中采用的方法是增加瞬態(tài)防護電路，這類電路通常包括瞬態(tài)防護TVS管(后文簡稱TVS)，快速過電壓保護(Over VoltageProtection，OVP)器件等。

TVS器件采用二極管工藝，可以滿足較高的瞬態(tài)防護要求，由于工藝限制，TVS器件的工作電壓(Vrwm)和瞬態(tài)啟動電壓(Vbr)之間有一個壓差，從瞬態(tài)防護的角度，希望Vbr越小越好，較小的Vbr意味著較低的Vrwm，但是Vrwm不能過小，要和充電器輸入電源VBUS之間要保證足夠的余量，否則可能會導致TVS管擊穿。所以可以看出，TVS有較高的瞬態(tài)防護能力，但是直流耐壓水平偏低。客退分析中，確實有發(fā)現(xiàn)直流過壓導致TVS損壞的案例。

瞬態(tài)沖擊的維持時間是在微秒(us)級別，如果有一種足夠快速的過壓保護的器件，能夠達到us級別，那么瞬態(tài)沖擊信號會被OVP芯片阻隔，不會傳遞到后段電路，進而起到保護作用。這也是OVP芯片工作的基本原理。OVP芯片通常采用的是MOS管工藝，直流耐壓可以做到比較高，但是用MOS管(絕緣柵型場效應管)工藝來做直接的瞬態(tài)防護，占用的芯片面積會較大。所以OVP防護電路的優(yōu)點是直流耐壓較高，缺點是瞬態(tài)防護能力較低。

如果要同時滿足直流耐壓和瞬態(tài)防護都較高的需求，相關技術是用一大一小兩顆TVS再配合OVP來實現(xiàn)。無論從布局面積還是成本上來看，都不具備廣泛推廣的動力。

針對相關技術中存在的上述問題，目前尚未發(fā)現(xiàn)有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供了一種移動設備的防護電路、移動設備，以至少解決相關技術中電源端口直流耐壓低的技術問題。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種移動設備的防護電路，包括：MOS管，包括：與輸入端連接的源極，與輸出端連接的漏極，與接地電阻連接的柵極；寄生電容，連接在所述柵極和所述源極之間，用于在所述輸入端接收到?jīng)_擊信號時，開啟所述MOS管。

可選地，所述輸入端為通用串行總線USB電壓VBUS。

可選地，所述寄生電容還用于，在所述沖擊信號回落時，導通所述MOS管。

可選地，所述輸出端與所述移動設備的電源電路連接。

可選地，輸入端與所述移動設備充電接口的電源輸入端連接。

可選地，所述電源電路包括以下至少之一：電源管理芯片，充電芯片。

可選地，所述輸入端與所述移動設備電池的輸入端口連接。

可選地，所述電源電路包括以下至少之一：電源管理芯片。