[發明專利]一種銅-氧化鋁陶瓷基板及其制備方法有效
| 申請號： | 201810005364.7 | 申請日： | 2018-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN108191449B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 王斌;吳燕青;張恩榮;植木康郎;張學伍 | 申請（專利權）人： | 上海富樂華半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C04B37/02 | 分類號： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 上海順華專利代理有限責任公司 31203 | 代理人： | 顧雯 |
| 地址： | 200444 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋁陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種銅-氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：包括銅片、氧化鋁陶瓷和銅片與氧化鋁陶瓷之間的連接層；所述連接層由氧化亞銅、過渡元素的氧化、尖晶石結構的偏鋁酸鹽三者形成的化合物構成；所述連接層的厚度為50～1000nm。
2.根據權利要求1所述的一種銅-氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：所述過渡元素為VB、VIB、VIIB族過渡元素。
3.根據權利要求1所述的一種銅-氧化鋁陶瓷基板，其特征在于：所述過渡元素為釩、錳、鐵、鉬或鈦。
4.一種制備權利要求1-3任一所述的銅-氧化鋁陶瓷基板的方法，其特征在于：具體步驟如下：
步驟一、在氧化鋁瓷片的表面噴涂含過渡元素氧化物的涂層；
步驟二、將步驟一所述氧化鋁瓷片烘干；
步驟三、使用熱氧化的方法在銅片上制備氧化層；
步驟四、將步驟三所述銅片放置在步驟二所述的氧化鋁陶瓷片上燒結形成權利要求1-3任一所述的銅-氧化鋁陶瓷基板。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：步驟一中，所述含過渡元素氧化物的涂層為硝酸錳溶液、鉬酸銨溶液或者鈦酸四丁酯。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：步驟四中，將步驟三所述銅片放置在步驟二所述的氧化鋁陶瓷片上，在氧濃度為0-18ppm，溫度為1065-1083℃的條件下燒結。
7.一種制備權利要求1-3任一所述的銅-氧化鋁陶瓷基板的方法，其特征在于：具體步驟如下：
步驟一、使用液相氧化的方法，利用含過渡元素的溶液處理銅片，淋洗后烘干；
步驟二、將步驟一所述的銅片放置在氧化鋁陶瓷片上，在氧濃度為0-18ppm，溫度為1065-1083℃的條件下燒結形成權利要求1-3任一所述的銅-氧化鋁陶瓷基板。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：所述含過渡元素的溶液為高錳酸鉀溶液、鉬酸銨溶液或者鈦酸四丁酯。
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