[發(fā)明專利]顯示裝置、陣列基板、柵極驅(qū)動(dòng)電路、晶體管及制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810004554.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108231756A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮艷榮;方?jīng)_;馮耀耀;張晗;張世舉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/01 | 分類號(hào): | H01L27/01;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極驅(qū)動(dòng)電路 晶體管 互相連接 陣列基板 柵極層 源層 顯示裝置 漏極線 源極線 方向間隔 非顯示區(qū) 現(xiàn)實(shí)技術(shù) 源漏極 柵極線 源漏 制造 | ||
本公開(kāi)提供一種顯示裝置、陣列基板、柵極驅(qū)動(dòng)電路、晶體管及制造方法。涉及現(xiàn)實(shí)技術(shù)領(lǐng)域。本公開(kāi)的晶體管用于柵極驅(qū)動(dòng)電路,該柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)于陣列基板的非顯示區(qū)。該晶體管包括柵極層、有源層和源漏層。柵極層包括沿第一方向分布且互相連接的多個(gè)柵極線。有源層設(shè)于柵極層上。源漏極層設(shè)于有源層上,且包括沿第二方向間隔分布的多個(gè)源極線和多個(gè)漏極線,多個(gè)源極線互相連接,多個(gè)漏極線互相連接,第二方向與第一方向不同。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種顯示裝置、陣列基板、柵極驅(qū)動(dòng)電路、晶體管及制造方法。
背景技術(shù)
陣列基板行驅(qū)動(dòng)(Gate Driver on Array,即GOA)是一種用于陣列基板的驅(qū)動(dòng)技術(shù)。可將柵極驅(qū)動(dòng)電路直接制作在陣列基板的非顯示區(qū),從而免于外接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路,具有低成本、低功耗、窄邊框等優(yōu)點(diǎn)。其中,薄膜晶體管是柵極驅(qū)動(dòng)電路的重要元件。如圖1所示,現(xiàn)有的柵極驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管一般包括自下而上設(shè)置的柵極層1a、有源層2a和源漏極層,其中,柵極層1a為一連續(xù)且完整的平面。源漏極層包括多個(gè)源極線3a和多個(gè)漏極線4a,源極線3a和漏極線4a可作為驅(qū)動(dòng)陣列基板的數(shù)據(jù)線。
在陣列基板的生產(chǎn)中,柵極層1a和源漏極層之間可能會(huì)存在金屬顆粒物等雜質(zhì),導(dǎo)致柵極層1a和源漏極層在雜質(zhì)所處位置出現(xiàn)短路,影響正常驅(qū)動(dòng),造成顯示不良。若通過(guò)激光對(duì)雜質(zhì)所在區(qū)域進(jìn)行切割,可能會(huì)導(dǎo)致源極線3a或漏極線4a與柵極層1a熔接,導(dǎo)致新的短路。因而,現(xiàn)有技術(shù)中,在維修雜質(zhì)引起的短路時(shí),通常要將出現(xiàn)雜質(zhì)的源極線3a或漏極線4a整個(gè)切割掉,以消除短路。但是,這種方式對(duì)薄膜晶體管造成的損傷較大,影響驅(qū)動(dòng)信號(hào)的正常輸出。
需要說(shuō)明的是,在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)的目的在于提供一種顯示裝置、陣列基板、柵極驅(qū)動(dòng)電路及薄膜晶體管,降低雜質(zhì)造成短路的發(fā)生率,并可減小維修時(shí)的切割區(qū)域,降低對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的影響。
根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面,提供一種晶體管,用于柵極驅(qū)動(dòng)電路,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)于陣列基板的非顯示區(qū),所述晶體管包括:
柵極層,包括沿第一方向分布且互相連接的多個(gè)柵極線;
有源層,設(shè)于所述柵極層上;
源漏極層,設(shè)于所述有源層上,且包括沿第二方向間隔分布的多個(gè)源極線和多個(gè)漏極線,多個(gè)所述源極線互相連接,多個(gè)所述漏極線互相連接,所述第二方向與所述第一方向不同。
在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中,所述柵極層還包括邊框,多個(gè)所述柵極線均設(shè)于所述邊框內(nèi),且均與所述邊框連接。
在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中,所述有源層包括多個(gè)有源條,多個(gè)所述有源條一一對(duì)應(yīng)的設(shè)于多個(gè)所述柵極線上。
在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中,所述有源層的材料為銦鎵鋅氧化物。
在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中,相鄰兩所述源極線間僅設(shè)有一個(gè)所述漏極線,相鄰兩所述漏極線間僅設(shè)有一個(gè)所述源極線。
在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中,所述第一方向與所述第二方向垂直。
根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面,提供一種晶體管制造方法,包括:
形成柵極層,所述柵極層包括沿第一方向分布且互相連接的多個(gè)柵極線;
在所述柵極層上形成有源層;
在所述有源層上形成源漏極層,所述源漏極層包括沿第二方向間隔分布的多個(gè)源極線和多個(gè)漏極線,多個(gè)所述源極線互相連接,多個(gè)所述漏極線互相連接,所述第二方向與所述第一方向不同。
根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面,提供一種柵極驅(qū)動(dòng)電路,包括上述任意一項(xiàng)所述的晶體管。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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