[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)光源及其發(fā)光方法、背光模組、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810004400.8
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN108224234B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李大海
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): F21S8/00
• 分類號(hào): F21S8/00;F21V9/32;F21V19/00;F21V7/00;F21V29/70;F21V8/00
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 周娟

本發(fā)明公開一種量子點(diǎn)光源及其發(fā)光方法、背光模組、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，以降低激勵(lì)光源發(fā)光時(shí)所散發(fā)出的熱量對量子點(diǎn)材料發(fā)光效率的影響。所述包括量子點(diǎn)材料單元以及位于所述量子點(diǎn)材料單元的一端的第一激勵(lì)光源；量子點(diǎn)材料單元包括量子點(diǎn)芯層單元以及封裝量子點(diǎn)芯層單元的全反射包封單元，量子點(diǎn)芯層單元相對第一激勵(lì)光源出光面的端面設(shè)有第一遮光封裝層；量子點(diǎn)光源還包括反光單元，用于反射所述量子點(diǎn)芯層單元被激發(fā)出的光線和所述第一激勵(lì)光源所發(fā)出的光線至所述全反射包封單元外。所述背光模組包括上述技術(shù)方案所述量子點(diǎn)光源。本發(fā)明提供的量子點(diǎn)光源及其發(fā)光方法、背光模組、顯示裝置用于顯示中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)光源及其發(fā)光方法、背光模組、顯示裝置。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)材料是一種粒徑在1-20nm的半導(dǎo)體納米材料，其主要由副族元素組成，可以被光照激發(fā)出單色光，這使得量子點(diǎn)材料有可能被應(yīng)用到顯示技術(shù)領(lǐng)域。

例如：將量子點(diǎn)材料應(yīng)用于背光模組時(shí)，量子點(diǎn)材料裝在玻璃管中，然后將玻璃管置于激勵(lì)光源的出光面，以利用激勵(lì)光源發(fā)出的光線激發(fā)玻璃管中的量子點(diǎn)材料發(fā)出單色光，從而使得背光模組所提供的光線色域比較高。然而，激勵(lì)光源在發(fā)光時(shí)會(huì)使得與激勵(lì)光源距離較近的量子點(diǎn)材料處在較高溫度環(huán)境中，導(dǎo)致量子點(diǎn)材料的晶體缺陷較大，從而降低量子點(diǎn)材料發(fā)出單色光的效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)光源及其發(fā)光方法、背光模組、顯示裝置，以降低激勵(lì)光源發(fā)光時(shí)所散發(fā)出的熱量對量子點(diǎn)材料發(fā)光效率的影響。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種量子點(diǎn)光源，該量子點(diǎn)光源包括量子點(diǎn)材料單元以及位于所述量子點(diǎn)材料單元的一端的第一激勵(lì)光源；所述量子點(diǎn)材料單元包括量子點(diǎn)芯層單元以及封裝量子點(diǎn)芯層單元的全反射包封單元，所述量子點(diǎn)芯層單元相對第一激勵(lì)光源出光面的端面設(shè)有第一遮光封裝層；所述量子點(diǎn)光源還包括反光單元，用于反射所述量子點(diǎn)芯層單元被激發(fā)出的光線和所述第一激勵(lì)光源所發(fā)出的光線至所述全反射包封單元外。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的量子點(diǎn)光源中，第一激勵(lì)光源位于量子點(diǎn)材料單元的一端，量子點(diǎn)材料單元中量子點(diǎn)芯層單元被封裝在全反射包封單元，而量子點(diǎn)芯層單元相對第一激勵(lì)光源出光面的端面設(shè)有第一遮光封裝層，這使得第一激勵(lì)光源發(fā)出的光線不會(huì)照射到量子點(diǎn)芯層單元，而是通過全反射包封單元全反射到量子點(diǎn)芯層單元，以激發(fā)量子點(diǎn)芯層單元發(fā)光，在這個(gè)過程中第一激勵(lì)光源所發(fā)出的光線的熱量通過全反射包封單元的全反射過程消耗，使得量子點(diǎn)芯層單元處在較低的環(huán)境溫度中，從而降低激勵(lì)光源發(fā)光時(shí)所散發(fā)出的熱量對量子點(diǎn)材料發(fā)光效率的影響。

不僅如此，本發(fā)明提供的量子點(diǎn)光源還包括反光單元，反光單元能夠反射量子點(diǎn)芯層單元被激發(fā)出的光線和第一激勵(lì)光源所發(fā)出的光線至所述全反射包封單元外，從而保證量子點(diǎn)光源所發(fā)出的光線可以正常出射。

本發(fā)明還提供了一種上述技術(shù)方案提供的所述量子點(diǎn)光源的發(fā)光方法，該量子點(diǎn)光源的發(fā)光方法包括：

第一激勵(lì)光源發(fā)出光線；

第一激勵(lì)光源發(fā)出的光線被全反射包封單元反射到量子點(diǎn)芯層單元，使得所述量子點(diǎn)芯層單元在激勵(lì)光線的激發(fā)下發(fā)光；

反光單元反射所述量子點(diǎn)芯層單元被激發(fā)出的光線和所述第一激勵(lì)光源所發(fā)出的光線至所述全反射包封單元外。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的量子點(diǎn)光源的發(fā)光方法的有益效果與上述技術(shù)方案提供的所述量子點(diǎn)光源的有益效果相同，在此不做贅述。

本發(fā)明還提供了一種背光模組，該背光模組包括上述技術(shù)方案所述量子點(diǎn)光源。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的背光模組的有益效果與上述技術(shù)方案提供的所述量子點(diǎn)光源的有益效果相同，在此不做贅述。