[發明專利]陣列基板、制作方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201810003159.7
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN108231795B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 楊維
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

本發明公開了一種陣列基板，包括兩種薄膜晶體管，具體包括形成在襯底上的第一有源層；覆蓋所述第一有源層上的第一柵絕緣層；形成在所述第一柵絕緣層上同層設置的第一柵極和第二柵極；覆蓋所述第一柵極和第二柵極的第二柵絕緣層；形成在所述第二刪絕緣層上的第二有源層和第二源漏極，所述第二源漏極與所述第二有源層電連接；覆蓋所述第二有源層和第二源漏極的層間絕緣層；形成在所述層間絕緣層上的第一源漏極，所述第一源漏極與所述第一有源層電連接。本實施例提供的陣列基板、制作方法和顯示裝置能減少制備兩種薄膜晶體管過程中的掩模數量，并解決工藝不兼容的問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、制作方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

近年來，低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)和氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)在顯示行業備受關注，各具優勢，不分伯仲。LTPS TFT具有遷移率高，充電快的優勢，OxideTFT具有漏電流低的優勢。如果能將這兩種材料的優勢結合在一起，顯示產品的用戶體驗將有大步提升。但是，由于需要把LTPS和Oxide這兩種工藝結合到一起，工藝制程就會不可避免的變得復雜，即需要使用較多的Mask工藝。為了降低生產成本，需要減少LTPS+Oxide TFT結構中的Mask數量，但由于LTPS TFT和Oxide TFT工藝制程可能存在工藝不兼容性等問題，使得減少Mask數量變得非常困難。

發明內容

為了解決上述問題至少之一，本發明第一方面提供一種陣列基板，包括：

一種陣列基板，包括兩種薄膜晶體管，具體包括

形成在襯底上的第一有源層；

覆蓋所述第一有源層上的第一柵絕緣層；

形成在所述第一柵絕緣層上同層設置的第一柵極和第二柵極；

覆蓋所述第一柵極和第二柵極的第二柵絕緣層；

形成在所述第二刪絕緣層上的第二有源層和第二源漏極，所述第二源漏極與所述第二有源層電連接；

覆蓋所述第二有源層和第二源漏極的層間絕緣層；

形成在所述層間絕緣層上的第一源漏極，所述第一源漏極與所述第一有源層電連接。

進一步地，所述第一有源層、第一柵極和第一源漏極構成低溫多晶硅薄膜晶體管；所述第二有源層、第二柵極和第二源漏極構成氧化物薄膜晶體管。

進一步地，還包括形成在所述第一柵絕緣層上的第一金屬層，所述第一金屬層與所述第一柵極同層設置；以及

形成在所述第二柵絕緣層上的與所述第一金屬層位置相對應的第二金屬層，所述第二金屬層與所述第二源漏極同層設置。

進一步地，還包括形成在所述第二柵絕緣層上的與所述第一柵極位置相對應的第三金屬層，所述第三金屬層與所述第二源漏極同層設置。

進一步地，所述層間絕緣層上還包括與所述第一源漏極同層設置的輔助金屬，該輔助金屬與所述第二源漏極電連接。

本發明第二方面提供一種陣列基板的制作方法，包括：

S101：在襯底上形成第一有源層；

S103：在所述第一有源層上形成第一柵絕緣層；

S105：在所述第一柵絕緣層上同時形成第一柵極和第二柵極；

S107：形成覆蓋所述第一柵極和第二柵極的第二柵絕緣層；

S109：在所述第二柵絕緣層上形成第二有源層；

S111：在所述第二柵絕緣層上形成第二源漏極，所述第二源漏極與所述第二有源層電連接；