[發明專利]對導電膜層進行構圖的方法、顯示基板及制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810003045.2 | 申請日: | 2018-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN108231793B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 華明;滕飛;李建敏 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 進行 構圖 方法 顯示 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種對導電膜層進行構圖的方法,其特征在于,所述方法包括:
在預定圖形區域中形成主掩膜;
檢測所述預定圖形區域中的主掩膜和導電膜層是否存在第一缺口,所述第一缺口將所述預定圖形區域中的主掩膜和/或導電膜層分割為第一子部分和第二子部分;
若存在所述第一缺口,則在所述預定圖形區域以外的導電膜層上形成輔掩膜,以將所述第一子部分和所述第二子部分連接;
以所述主掩膜和所述輔掩膜為掩膜對所述導電膜層進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述預定圖形區域以外的導電膜層上形成輔掩膜的步驟包括:
在所述預定圖形區域以外的至少部分導電膜層上設置輔助光刻膠層;
對所述輔助光刻膠層進行構圖以獲得所述輔掩膜。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,通過激光對所述輔助光刻膠層進行構圖以獲得所述輔掩膜。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述輔掩膜包括第一子掩膜、第二子掩膜以及連接所述第一子掩膜和所述第二子掩膜的第三子掩膜;所述第一子掩膜與所述第一子部分連接,所述第二子掩膜與所述第二子部分連接,所述第三子掩膜與所述預定圖形區域之間具有預設距離。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的方法,其特征在于,所述檢測所述預定圖形區域中的主掩膜和導電膜層是否存在第一缺口的步驟包括:
獲取包括所述預定圖形區域的圖像;
將所述圖像中的預定圖形區域劃分為多個檢測單元;
提取所述多個檢測單元的灰度值;
將所述多個檢測單元的灰度值與預設灰度值進行對比,判定與所述預設灰度值不一致的所述檢測單元所在的位置為所述第一缺口。
6.根據權利要求1至4中任意一項所述的方法,其特征在于,所述檢測所述預定圖形區域中的主掩膜和導電膜層是否存在第一缺口的步驟包括:
獲取包括所述預定圖形區域的圖像;
將所述圖像中的預定圖形區域劃分為多個檢測單元;
提取所述多個檢測單元的灰度值;
將每個檢測單元的灰度值與其余檢測單元的灰度值進行對比,當該檢測單元的灰度值與其余檢測單元的灰度值均不一致時,判定該檢測單元所在的位置為所述第一缺口。
7.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括對導電膜層進行構圖的步驟,其中,所述對導電膜層進行構圖的步驟包括權利要求1至6中任意一項所述的對導電膜層進行構圖的方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





