[發明專利]掩模版及其制備方法、顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201810002704.0 | 申請日: | 2018-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN108169999B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 徐鵬;吳建鵬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模版 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種掩模版,其特征在于,包括:層疊設置的基礎模具單元和至少一個連接構件;
在所述基礎模具單元包括第一連接區域;
所述連接構件包括第二連接區域以及非連接區域,其中,所述基礎模具單元與連接構件通過第一連接區域與第二連接區域相連接,所述非連接區域的外形與所述基礎模具單元的外形構成所述掩模版所需的目標形狀,所述基礎模具單元的外形是指由所述基礎模具單元的中空區域所構成的形狀,所述非連接區域與所述中空區域相交疊,所述中空區域為基礎模具單元的框架包圍的整體空心區域;
所述基礎模具單元與連接構件通過第一連接區域與第二連接區域相連接組成的掩模版的整體厚度與所述基礎模具單元的厚度相同。
2.根據權利要求1所述的掩模版,其特征在于,所述基礎模具單元的邊框至少包括第一邊框以及與所述第一邊框連接的第二邊框;
在所述第一邊框上表面開設有凹槽,所述凹槽所在的區域為所述第一連接區域,所述凹槽在第一邊框延長線方向上的長度小于所述第一邊框的長度,寬度等于所述第一邊框的寬度,深度小于所述第一邊框的厚度;或
所述第一連接區域為開設在所述第一邊框與所述第二邊框的拐角連接處上表面的凹槽,其中,所述凹槽開設在對應邊框上的長度小于所述對應邊框的長度,寬度等于所述對應邊框的寬度,深度小于所述對應邊框的厚度。
3.根據權利要求1-2中任一項所述的掩模版,其特征在于,包括:
在所述第一連接區域上設置有第一定位裝置;
在所述第二連接區域上設置有第二定位裝置,所述第二定位裝置用于與所述第一定位裝置匹配定位,使得所述基礎模具單元的第一連接區域與所述連接構件的第二連接區域相貼合。
4.根據權利要求3所述的掩模版,其特征在于,包括:
所述第一定位裝置為定位凸起部,所述定位凸起部設置在所述凹槽內的底面;
所述第二定位裝置為匹配所述定位凸起部的通孔,所述通孔貫穿所述連接構件。
5.根據權利要求3所述的掩模版,其特征在于,所述第一連接區域與所述第二連接區域的貼合方式為可拆卸連接,至少包括粘接、卡接中的一種。
6.根據權利要求1-2中任一項所述的掩模版,其特征在于,所述連接構件的非連接區域的外形由第一側邊與第二側邊組成;
所述第一側邊為所述非連接區域與所述第二連接區域的分界線;
所述第二側邊為具有預置弧度的側邊,其中,將所述第二側邊為內凹弧線的連接構件連接在所述基礎模具單元的邊框拐角處時,構成具有弧形拐角的掩模版,或者,將所述第二側邊為外凸弧線的連接構件連接在所述基礎模具單元的至少一邊框中時,構成具有弧形凸起的掩模版。
7.一種掩模版的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
在標準掩模版上的第一連接區域進行刻蝕,得到基礎模具單元;
采用構圖工藝制作具有第二連接區域的連接構件,所述第二連接區域用于與所述第一連接區域相連接;
利用所述第一連接區域與所述第二連接區域將所述連接構件與所述基礎模具單元組合成新的掩模版,其中,所述連接構件還包括非連接區域,所述非連接區域的外形與所述基礎模具單元的外形構成所述掩模版所需的目標形狀,所述基礎模具單元的外形是指由所述基礎模具單元的中空區域所構成的形狀,所述非連接區域與所述中空區域相交疊;
所述采用構圖工藝制作具有第二連接區域的連接構件包括:
利用曝光刻蝕工藝刻蝕具有預置外形的連接構件,所述基礎模具單元與連接構件通過第一連接區域與第二連接區域相連接組成的掩模版的整體厚度與所述基礎模具單元的厚度相同,所述預置外形由第二連接區域與非連接區域的外形所構成。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,在標準掩模版上的第一連接區域進行刻蝕包括:
在標準掩模版的至少一個邊框上刻蝕出凹槽,所述凹槽所在的區域為所述第一連接區域,所述凹槽在邊框延長線方向上的長度小于所述邊框的長度,寬度等于所述邊框的寬度,深度小于所述邊框的深度。
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G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
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G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





