[發明專利]納米級厚度的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用及非晶碳基薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201810002607.1
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN108251807B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 汪愛英;王麗;張棟;郭鵬;柯培玲
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 寧波元為知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33291
• 代理人: 單英

1.非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：控制非晶碳基薄膜的厚度為10nm～100nm，并且對2.5微米～25微米波長范圍內的紅外光的吸收率大于20％；

所述非晶碳基薄膜的制備方法為：

將基體置于真空腔室中，在氬氣氛圍中，采用直流復合高功率脈沖磁控濺射石墨靶，在基體表面沉積非晶碳基薄膜，并且在沉積過程中對基體施加直流脈沖偏壓，所述直流脈沖偏壓為-25V～-100V；濺射電源的直流電流為0.5A～2.0A，脈沖電壓為800V～1200V，頻率為100Hz～300Hz，脈寬為40μs～70μs。

2.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：所述非晶碳基薄膜的厚度為15nm～50nm。

3.如權利要求1或2所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：所述非晶碳基薄膜對2.5微米～25微米波長范圍內的紅外光的吸收率大于20％。

4.如權利要求3所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：所述非晶碳基薄膜對2.5微米～25微米波長范圍內的紅外光的吸收率大于25％。

5.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：對基體施加的直流脈沖偏壓為-40V～-80V。

6.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：對基體施加的直流脈沖偏壓為-45V～-60V。

7.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：對基體施加的直流脈沖偏壓為-50V。

8.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：所述非晶碳基薄膜在2.5微米～25微米波長范圍內吸收率大于22％。

9.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：所述非晶碳基薄膜在2.5微米～25微米波長范圍內吸收率大于25％。

10.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：首先對基底進行輝光刻蝕處理，然后在基底表面沉積非晶碳基薄膜。

11.如權利要求1所述的非晶碳基薄膜作為紅外吸收材料的應用，其特征是：氬氣的氣體壓力為0.2Pa～0.5Pa。