[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810001934.5
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN108054174B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李春陽;黃凱泓
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

呈陣列排布的多個子像素單元；

與每行或每列所述子像素單元電連接多條信號線，所述信號線沿對應(yīng)行或?qū)?yīng)列延伸，所述多條信號線包括多條第一信號線和多條第二信號線，所述多條第一信號線電連接的子像素單元的數(shù)量相等，所述第一信號線電連接的子像素單元的數(shù)量大于所述第二信號線電連接的子像素單元的數(shù)量；

用于增加所述第二信號線負(fù)載的多個負(fù)載補(bǔ)償單元，每個所述負(fù)載補(bǔ)償單元包括至少兩個電容，所述至少兩個電容包括第一電容和用于調(diào)節(jié)所述負(fù)載補(bǔ)償單元負(fù)載大小的第二電容，所述負(fù)載補(bǔ)償單元包括第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；

在所述第一狀態(tài)下，所述第一電容電連接于所述第二信號線，用于將所述第二信號線的負(fù)載補(bǔ)償?shù)脚c所述第一信號線的負(fù)載相同；

在所述第二狀態(tài)下，所述第一電容和所述第二電容都耦接所述第二信號線，使所述第二電容對所述第一電容補(bǔ)償?shù)呢?fù)載進(jìn)行調(diào)節(jié)，將所述第一電容對所述第二信號線補(bǔ)償?shù)呢?fù)載量調(diào)節(jié)至實(shí)際需要補(bǔ)償?shù)呢?fù)載量，其中，當(dāng)所述第一電容補(bǔ)償過大時，所述第一電容和所述第二電容串聯(lián)，使所述第二電容拉低由所述第一電容補(bǔ)償?shù)呢?fù)載，當(dāng)所述第一電容補(bǔ)償過小時，所述第一電容和所述第二電容并聯(lián)，使所述第二電容拉高由所述第一電容補(bǔ)償?shù)呢?fù)載。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多條第二信號線電連接的子像素單元的數(shù)量相等，每個所述負(fù)載補(bǔ)償單元中的所述第一電容的電容量相等，每個所述負(fù)載補(bǔ)償單元中的所述第二電容的電容量相等。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多條第二信號線包括第一走線和第二走線，所述第一走線電連接的子像素單元的數(shù)量小于所述第二走線電連接的子像素單元的數(shù)量，每個所述負(fù)載補(bǔ)償單元中的所述第二電容的電容量相等，所述多個負(fù)載補(bǔ)償單元包括第一負(fù)載補(bǔ)償單元和第二負(fù)載補(bǔ)償單元，所述第一負(fù)載補(bǔ)償單元中的所述第一電容的電容量大于所述第二負(fù)載補(bǔ)償單元中的所述第一電容的電容量，所述第一負(fù)載補(bǔ)償單元與所述第一走線電連接，所述第二負(fù)載補(bǔ)償單元與所述第二走線電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

在所述第一狀態(tài)下，所述第一電容的第一端與所述第二信號線電連接，所述第一電容的第二端與固定電位電連接；

在所述第二狀態(tài)下，所述第一電容的第一端與所述第二信號線電連接，所述第一電容的第二端與所述第二電容的第一端電連接，所述第二電容的第二端與所述固定電位電連接。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電容的電容量大于所述第一負(fù)載補(bǔ)償單元中的所述第一電容的電容量；

所述負(fù)載補(bǔ)償單元還包括：

一個第一薄膜晶體管和一個第二薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管的控制端電連接電平輸出端，所述第一薄膜晶體管的第一端與所述第一電容的第二端電連接，所述第一薄膜晶體管的第二端與所述第二電容的第一端電連接；

所述第二薄膜晶體管的控制端電連接所述電平輸出端，所述第二薄膜晶體管的第一端與所述第一電容的第二端電連接，所述第二薄膜晶體管的第二端與所述第二電容的第二端電連接，所述第二電容的第二端與所述固定電位電連接，所述第一電容的第一端與所述第二信號線電連接；

所述第一薄膜晶體管為N型薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為P型薄膜晶體管；或者，所述第二薄膜晶體管為N型薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。

6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，

在所述第一狀態(tài)下，所述第一電容的第一端與所述第二信號線電連接，所述第一電容的第二端與固定電位電連接；

在所述第二狀態(tài)下，所述第一電容的第一端與所述第二信號線電連接，所述第一電容的第二端與所述固定電位電連接，所述第二電容的第一端與所述第二信號線電連接，所述第二電容的第二端與所述固定電位電連接。