[發明專利]曝光方法、UV掩膜板及其制備方法在審
| 申請號: | 201810001799.4 | 申請日: | 2018-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN108051981A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發明(設計)人: | 廖建;李超 | 申請(專利權)人: | 成都天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱宗力;王寶筠 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 方法 uv 掩膜板 及其 制備 | ||
1.一種UV掩膜板的制備方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板表面形成第一遮光材料層,在所述第一遮光材料層表面的第一圖形位置上設置黑矩陣掩膜板,并以所述黑矩陣掩膜板為掩膜對所述第一遮光材料層進行處理,以在所述基板表面形成第一覆蓋圖形;
在所述第一覆蓋圖形表面形成第二遮光材料層,在所述第二遮光材料層表面的第二圖形位置上設置所述黑矩陣掩膜板,所述第二圖形位置在基板上的投影位置與所述第一圖形位置在基板上的投影位置向第一方向移動第一預設距離后的位置重合,并以所述黑矩陣掩膜板為掩膜對所述第二遮光材料層進行處理,以在所述基板表面形成第二覆蓋圖形;
在所述第二覆蓋圖形表面形成第三遮光材料層,在所述第三遮光材料層表面的第三圖形位置上設置所述黑矩陣掩膜板,所述第三圖形位置在基板上的投影位置與所述第一圖形位置在基板上的投影位置向第二方向移動第二預設距離后的位置重合,并以所述黑矩陣掩膜板為掩膜對所述第三遮光材料層進行處理,以在所述基板表面形成第三覆蓋圖形;
所述第一方向與所述顯示面板像素的長邊或短邊平行,所述第二方向與所述顯示面板像素的另一邊平行;
在所述第三覆蓋圖形表面形成第四遮光材料層,在所述第四遮光材料層表面的第四圖形位置上設置所述黑矩陣掩膜板,所述第四圖形位置在基板上的投影位置與所述第一圖形位置在基板上的投影位置向第三方向移動第三預設距離后的位置重合,并以所述黑矩陣掩膜板為掩膜對所述第四遮光材料層進行處理,以在所述基板表面形成第四覆蓋圖形,所述第三方向與所述第一方向和第二方向均相交;
所述第一覆蓋圖形、第二覆蓋圖形、第三覆蓋圖形和第四覆蓋圖形重疊構成所述UV掩膜板。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一預設距離大于或等于顯示面板的相鄰像素之間在第一方向上的間距,小于所述顯示面板的像素在第一方向上的邊長。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一預設距離的取值為所述顯示面板的像素在第一方向上尺寸的二分之一。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二預設距離大于或等于顯示面板的相鄰像素之間在第二方向上的間距,小于所述顯示面板的像素在第二方向上的邊長。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述第二預設距離的取值為所述顯示面板的像素在第二方向上尺寸的二分之一。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第三方向與所述第三預設距離l滿足下列條件;
d
其中,d
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述第三預設距離的取值滿足
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





