[發明專利]一種電子設備及天線處理方法有效
| 申請號: | 201810001271.7 | 申請日: | 2018-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN108172973B | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 劉君英 | 申請(專利權)人: | 聯想(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/22 | 分類號: | H01Q1/22;H01Q7/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 100085 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電子設備 天線 處理 方法 | ||
1.一種電子設備,其特征在于,包括:
NFC線圈,所述NFC線圈作為所述電子設備的NFC天線;
第一射頻饋點,設置在所述NFC線圈上,其中,所述NFC線圈上始于所述第一射頻饋點且終于所述NFC線圈上的射頻接地點的第一預定部分金屬構成第一環天線,所述NFC線圈上的第一預定部分金屬用于在所述電子設備的通信模塊工作于第一射頻頻段時作為所述第一射頻頻段的第一環天線;
第二高頻短路電容,設置于所述NFC線圈上,所述NFC線圈上始于所述第一射頻饋點且終于所述NFC線圈上射頻接地點的第一預定部分金屬構成第一環天線,包括:所述NFC線圈上始于所述第一射頻饋點,沿所述NFC線圈至所述第二高頻短路電容止的第一預定部分金屬構成第一環天線;
第二射頻饋點及第三高頻短路電容,設置于所述NFC線圈上,所述NFC線圈上始于所述第二射頻饋點,沿所述NFC線圈至所述第三高頻短路電容止的第二預定部分金屬構成第二環天線,所述NFC線圈上的第二預定部分金屬用于在所述電子設備的通信模塊工作于第二射頻頻段時作為所述第二射頻頻段的第二環天線,所述第二環天線始于所述第二射頻饋點,沿所述NFC線圈至所述第三高頻短路電容的第二預定部分金屬;
其中,所述NFC天線與所述第一環天線能夠同時使用。
2.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,所述NFC線圈上始于所述第一射頻饋點且終于所述NFC線圈上的射頻接地點的第一預定部分金屬構成第一環天線,包括:
所述第一預定部分金屬始于所述第一射頻饋點,沿所述NFC線圈至所述電子設備的主板的金屬地止,構成所述第一環天線。
3.根據權利要求1所述的電子設備,其特征在于,還包括:隔離電路,
所述隔離電路用于隔離所述NFC天線與所述第一環天線之間的信號干擾。
4.一種天線處理方法,應用于權利要求1-3中任意一項所述的電子設備,其特征在于,包括:
當第一射頻信號處于第一射頻頻段時,第一射頻饋點接收第一射頻信號,將所述第一射頻信號饋送至第一環天線,并使所述第一射頻信號經過所述第一環天線發射出去;
或,
獲取第一無線信號,當確定所述第一無線信號處于第一射頻頻段時,通過第一射頻饋點將耦合至第一環天線的第一無線信號接收至所述電子設備;
其中,所述第一射頻饋點設置在所述NFC線圈上,所述NFC線圈作為所述電子設備的NFC天線,所述NFC線圈上的第一預定部分金屬用于在所述電子設備的通信模塊工作于第一射頻頻段時作為所述第一射頻頻段的第一環天線,所述第一預定部分金屬始于所述NFC線圈上的第一射頻饋點,且終于所述NFC線圈上的射頻接地點;
其中,所述NFC天線與所述第一環天線能夠同時使用;
其中,所述將所述第一射頻信號饋送至第一環天線,并使所述第一射頻信號經過所述第一環天線發射出去,包括:將所述第一射頻信號饋送至由所述第一射頻饋點第二高頻短路電容及處于所述第一射頻饋點及第二高頻短路電容之間的第一預定部分金屬形成的第一環天線,并使所述第一射頻信號經過所述第一環天線發射出去;或,所述通過第一射頻饋點將耦合至第一環天線的第一無線信號接收至所述電子設備,包括:通過第一射頻饋點將第一無線信號接收至所述電子設備,其中,第一無線信號為:通過第一射頻饋點耦合至由所述第一射頻饋點、第二高頻短路電容以及處于所述第一射頻饋點及第二高頻短路電容之間的第一預定部分金屬形成的第一環天線的第一無線信號;
其中,所述第二高頻短路電容設置于所述NFC線圈上;
當確定第二射頻信號處于第二射頻頻段時,第二射頻饋點接收第二射頻信號,將所述第二射頻信號饋送至由所述第二射頻饋點、NFC線圈及第三高頻短路電容構成的第二環天線,并使所述第二射頻信號經過所述第二環天線發射出去;或,獲取第二無線信號,當確定所述第二無線信號處于第二射頻頻段時,將所述第二無線信號接收至所述電子設備,其中,第二無線信號為經過由第三高頻短路電容、所述第二射頻饋點及處于所述第三高頻短路電容及所述第二射頻饋點之間的第二預定部分金屬構成的第二環天線的第二無線信號;
其中,所述第三高頻短路電容及所述第二射頻饋點設置于所述NFC線圈上,所述第二環天線始于所述第二射頻饋點,沿所述NFC線圈至所述第三高頻短路電容的第二預定部分金屬。
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