[發明專利]RFeB系磁體

有效

• 申請號: 201810001024.7
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN108269666B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 佐川真人;高木忍;橋野早人
• 申請（專利權）人: 因太金屬株式會社;大同特殊鋼株式會社
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057
• 代理公司: 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;李茂家<國際申請>=<國際公布>

本發明課題在于提供晶界擴散處理時涂布物不從基材表面剝離、能夠提高矯頑力的RFeB系磁體。所述RFeB系磁體，其特征在于，其為以含有稀土類R、鐵Fe以及硼B的R₂Fe₁₄B為主相的RFeB系磁體，將Tb和Dy的重量百分率分別設為x₁、x₂，將室溫下的矯頑力H_cJ以kOe的單位表示，滿足下述關系：0＜x₁≤0.5、0≤x₂，且H_cJ≥20.8×x₁+2×x₂+14.7。

本申請是申請日為2014年3月13日、申請號為201480016944.6、發明名稱為“RFeB系磁體制造方法、RFeB系磁體以及晶界擴散處理用涂布物”的申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及以R₂Fe₁₄B作為主相的RFeB系磁體(R為稀土元素)的制造方法。尤其是涉及如下的方法：在RFeB系磁體的主相含有以Nd和Pr中的至少一種作為主要稀土元素(以下，將這兩種稀土元素總稱為“輕稀土元素R^L”)的主相晶粒的表面附近，使Dy、Tb以及Ho中的至少一種的稀土元素(以下，將這三種稀土元素總稱為“重稀土元素R^H”)通過該主相晶粒的晶界而擴散的方法。另外，本發明涉及利用該方法制作的RFeB系磁體及在該方法中使用的晶界擴散處理用涂布物。

背景技術

RFeB系磁體于1982年被佐川(本發明人)等發現，其具有殘留磁通密度等多種磁特性遠高于以往的永久磁體的特長。因此，RFeB系磁體被用于混合動力汽車、電動汽車的驅動用馬達、電動輔助型自行車用馬達、產業用馬達、硬盤等的音圈馬達、高級揚聲器、耳機、永久磁體式核磁共振診斷裝置等各種產品中。

初始的RFeB系磁體具有各種磁特性中的矯頑力H_cJ比較低這樣的缺點，但是后來明確了：通過使RFeB系磁體的內部存在重稀土元素R^H而變得難以產生反向磁疇，由此提高矯頑力。反向磁疇具有以下特性：在對RFeB系磁體施加與磁化的方向相反的方向的磁場時，最初在晶粒的晶界附近產生，并由該處向晶粒的內部和鄰接的晶粒逐漸擴散。因此，需要在最初防止反向磁疇的產生。為此，只要R^H存在于晶粒的晶界附近即可，由此可以防止在晶粒的晶界附近產生反向磁疇。另一方面，R^H的含量增加時，存在殘留磁通密度B_r降低，由此最大磁能積(BH)_max也降低之類的問題。另外，從R^H稀少、且出產的地域不均勻之類的方面出發，也不希望增加R^H的含量。因此，為了極力抑制R^H的含量、且提高矯頑力(使反向磁疇難以形成)，理想的是使晶粒的表面(晶界)附近存在比內部更高濃度的R^H。

專利文獻1和2中記載了：通過使含有R^H或R^H化合物的粉末等附著于RFeB系磁體的表面，將該RFeB系磁體連同涂布物一起加熱，由此使R^H的原子通過該RFeB系磁體的晶界擴散至晶粒的表面附近。如此使R^H的原子通過晶界擴散至晶粒的表面附近的方法被稱為“晶界擴散法”。此后，將實施晶界擴散處理前的RFeB系磁體稱為“基材”，區別于實施了晶界擴散處理后的RFeB系磁體。

專利文獻1中，僅僅使含有R^H或R^H化合物的粉末、箔接觸基材的表面，因此粉末、箔與基材之間的附著力弱，不能使充分量的R^H原子擴散至RFeB系磁體的晶粒的表面附近。與此相對，專利文獻2中，將使R^H或R^H化合物的粉末分散于有機溶劑而成的涂布物涂布于基材的表面。通過使用這樣的涂布物，能夠使對RFeB系磁體的附著力比(僅)粉末、箔提高，因此能夠使更多的R^H原子擴散至RFeB系磁體的晶粒的表面附近。