[發(fā)明專利]可變寬度超級(jí)塊尋址

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780098241.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN112055850A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔趙;E·K·F·元;王冠中;段星輝;李華晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G06F12/02
• 分類號(hào): G06F12/02
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明提供一種用于NAND中的可變寬度超級(jí)塊尋址的NAND裝置、一種用于NAND中的可變寬度超級(jí)塊尋址的方法和一種包含用于NAND中的可變寬度超級(jí)塊尋址的指令的機(jī)器可讀媒體。所述方法包含：獲得以平面數(shù)目指定的超級(jí)塊寬度。在NAND裝置的轉(zhuǎn)換表中創(chuàng)建超級(jí)塊條目。此處，所述超級(jí)塊條目可包含來自所述NAND裝置的塊集，所述塊集具有跨所述NAND裝置的多個(gè)裸片為相同的塊索引。唯一塊索引的數(shù)目等于所述平面數(shù)目并且處于不同平面中。使用所述超級(jí)塊條目執(zhí)行從請(qǐng)求實(shí)體接收的請(qǐng)求。執(zhí)行所述請(qǐng)求包含將單個(gè)指令提供到所述NAND裝置的多個(gè)裸片和多個(gè)數(shù)據(jù)段。此處，數(shù)據(jù)段對(duì)應(yīng)于所述塊集中的由塊索引和裸片的元組指定的塊。接著將所述請(qǐng)求的結(jié)果返回到所述請(qǐng)求實(shí)體。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置通常提供為計(jì)算機(jī)或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲(chǔ)器，包含易失性和非易失性存儲(chǔ)器。

易失性存儲(chǔ)器需要電力來維持其數(shù)據(jù)，且包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)等等。

非易失性存儲(chǔ)器可在不被供電時(shí)保存所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，且包含快閃存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電阻可變存儲(chǔ)器，例如相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)或3D XPoint^TM存儲(chǔ)器等等。

快閃存儲(chǔ)器用作廣泛范圍的電子應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器裝置通常包含允許高存儲(chǔ)器密度、高可靠性和低功耗的單晶體管浮動(dòng)?xùn)艠O或電荷阱存儲(chǔ)器單元的一或多個(gè)群組。

兩種常見類型的快閃存儲(chǔ)器陣列架構(gòu)包含NAND和NOR架構(gòu)，所述架構(gòu)以每一者的基本存儲(chǔ)器單元配置所布置的邏輯形式來命名。存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)器單元通常布置成矩陣。在實(shí)例中，陣列的一行中的每一浮動(dòng)?xùn)艠O存儲(chǔ)器單元的柵極耦合到存取線(例如，字線)。在NOR架構(gòu)中，陣列的一列中的每一存儲(chǔ)單元的漏極耦合到數(shù)據(jù)線(例如，位線)。在NAND架構(gòu)中，陣列的一串中的每個(gè)存儲(chǔ)器單元的漏極以源極到漏極方式一起串聯(lián)耦合在源極線與位線之間。

NOR和NAND架構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列均通過解碼器來存取，所述解碼器通過選擇耦合到特定存儲(chǔ)器單元的柵極的字線來激活特定存儲(chǔ)器單元。在NOR架構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列中，一旦被激活，選定存儲(chǔ)器單元便使其數(shù)據(jù)值置于位線上，從而依據(jù)特定單元經(jīng)編程的狀態(tài)而使不同電流流動(dòng)。在NAND架構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列中，將高偏壓電壓施加于漏極側(cè)選擇柵極(SGD)線。以指定傳遞電壓(例如，Vpass)驅(qū)動(dòng)耦合到每一群組的非所選存儲(chǔ)器單元的柵極的字線，以使每一群組的非所選存儲(chǔ)器單元作為傳遞晶體管操作(例如，以不受其所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值限制的方式傳遞電流)。電流隨后從源極線穿過每個(gè)串聯(lián)耦合的群組流動(dòng)到位線，僅受每個(gè)群組中的所選存儲(chǔ)器單元限制，從而將所選存儲(chǔ)器單元的行的當(dāng)前經(jīng)編碼數(shù)據(jù)值置于位線上。

NOR或NAND架構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器陣列中的每一快閃存儲(chǔ)器單元可單獨(dú)地或共同地編程到一個(gè)或數(shù)個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)。舉例來說，單層級(jí)單元(SLC)可表示兩個(gè)編程狀態(tài)(例如，1或0)中的一個(gè)，從而表示一個(gè)數(shù)據(jù)位。

然而，快閃存儲(chǔ)器單元也可表示大于兩個(gè)的經(jīng)編程狀態(tài)中的一個(gè)，從而允許制造較高密度的存儲(chǔ)器而不增加存儲(chǔ)器單元的數(shù)目，這是因?yàn)槊恳粏卧杀硎敬笥谝粋€(gè)的二進(jìn)制數(shù)字(例如，大于一個(gè)位)。此類單元可被稱為多狀態(tài)存儲(chǔ)器單元、多數(shù)字單元或多層級(jí)單元(MLC)。在某些實(shí)例中，MLC可指代每單元可存儲(chǔ)兩個(gè)數(shù)據(jù)位(例如，四個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)中的一個(gè))的存儲(chǔ)器單元，三層級(jí)單元(TLC)可指代每單元可存儲(chǔ)三個(gè)數(shù)據(jù)位(例如，八個(gè)經(jīng)編程狀態(tài)中的一個(gè))的存儲(chǔ)器單元，且四層級(jí)單元(QLC)可每單元存儲(chǔ)四個(gè)數(shù)據(jù)位。MLC在本文中以其較廣泛情形使用，以指代每單元可存儲(chǔ)大于一個(gè)數(shù)據(jù)位(即，可表示大于兩個(gè)經(jīng)編程狀態(tài))的任何存儲(chǔ)器單元。