[發明專利]測定表面溫度的方法

有效

• 申請號: 201780097489.0
• 申請日: 2017-12-05
• 公開（公告）號: CN111527242B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: O·賽法特;S·佐梅勞爾;M·溫澤伊斯
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C01B33/035;C30B35/00;G01B11/06;G05D23/27;C23C16/24;C23C16/52
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 彭麗丹;過曉東

1.用于在沉積工藝期間測定包含多個硅棒的化學氣相沉積反應器中至少一個硅棒的表面溫度的方法，其中測量裝置A測定設置在所述硅棒上的測量區域中的所述表面溫度，另外的測量裝置B連續地或不連續地確定所述硅棒的至少一個直徑和所述反應器中布置的至少一個其它硅棒的至少一個直徑，所述測量裝置A和B被布置在不同的位置，每個都在觀察窗的前方或在反應器外部共同的觀察窗的前方，以及所述測量區域的大小和/或位置根據所確定的一個或多個直徑進行適配。

2.根據權利要求1所述的方法，其包括以下步驟：

a)用所述測量裝置B確定至少一個硅棒的至少一個直徑；

b)根據在步驟a)中確定的所述直徑，限定設置在所述硅棒上的所述測量區域的大小和/或位置；

c)用所述測量裝置A測定所述測量區域內的表面溫度；

d)連續或不連續地重復步驟a)、b)和c)，并根據所述硅棒的直徑連續或不連續地適配所述測量區域的大小和/或位置。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述測量裝置B包括照相機，所述直徑通過對由所述照相機產生的反應器內部的圖像進行圖像處理來測定。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述測量裝置B包括運算單元，所述直徑由通過所述運算單元捕獲的沉積工藝的參數測定。

5.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，測定至少兩個硅棒的直徑。

6.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，測定三個硅棒的直徑。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其特征在于，所述測量裝置A包括熱成像系統。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述熱成像系統是高溫計或熱成像照相機。

9.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述測量區域具有垂直于硅棒軸線延伸的寬度，所述測量區域被限定為使得所述寬度在所述直徑的2％和98％之間。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述測量區域被限定為使得所述寬度在所述直徑的5％和95％之間。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述測量區域被限定為使得所述寬度在所述直徑的10％和90％之間。

12.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述測量區域具有平行于所述硅棒軸線延伸的高度，所述測量區域被限定為使得所述高度在所述直徑的2％和300％之間，或者是恒定的。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述測量區域被限定為使得所述高度在所述直徑的5％和200％之間，或者是恒定的。

14.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述測量區域被限定為使得所述高度在所述直徑的10％和150％之間，或者是恒定的。

15.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述測量區域是矩形的。

16.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，基于所述表面溫度來控制沉積溫度。

17.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，在達到規定的直徑時結束所述沉積工藝。