[發明專利]用于驅動電光調制器的設備

有效

• 申請號: 201780097419.5
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN111434035B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 安東尼奧·穆西奧;盧卡·皮亞宗
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03F3/60
• 分類號: H03F3/60;H03F3/195;H03F3/24;H04B10/50
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 蔡維華;臧建明

1.一種用于驅動電光調制器(110)的設備(100)，其特征在于，所述設備(100)包括：

分布式放大器(101)和分布式電流源(102)；其中

所述分布式電流源(102)包括用于供電電壓的DC輸入(103)和與分布式放大器(101)連接的M個DC輸出(104)，其中，M為大于等于1的自然數；

所述分布式放大器(101)包括射頻RF輸入(105)、與用于與所述電光調制器(110)連接的RF輸出(106)以及與所述分布式電流源(102)的M個DC輸出(104)連接的至少M個DC輸入(107)；

所述分布式電流源(102)包括并聯連接的M個DC電流源(300)，所述M個DC電流源(300)為M個晶體管(400)，每個晶體管(400)的輸入端子通過恒壓源(500)與所述晶體管(400)的控制端子連接。

2.根據權利要求1所述的設備(100)，其特征在于：

每個晶體管(400)與所述DC輸入(103)和所述M個DC輸出(104)中的一個連接。

3.根據權利要求2所述的設備(100)，其特征在于：

每個晶體管(400)的輸出端子與所述DC輸入(103)連接，所述晶體管(400)的輸入端子與所述M個DC輸出(104)中的一個連接。

4.根據權利要求3所述的設備(100)，其特征在于：

所述M個晶體管(400)為場效應晶體管或雙極型晶體管。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的設備(100)，其特征在于：

所述分布式放大器(101)至少包括另一個用于供電電壓的DC輸入(301)；

所述分布式電流源(102)的DC輸入(103)與所述分布式放大器(102)的另一DC輸入(301)相互連接。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的設備，其特征在于：

所述分布式放大器(101)至少包括另一個用于供電電壓的DC輸入(600)；

所述分布式電流源(102)的DC輸入(103)不與所述分布式放大器(101)的另一DC輸入(600)連接。

7.根據權利要求5所述的設備(100)，其特征在于：

所述分布式放大器(101)包括并行連接的N個晶體管(302)和連接在所述另一DC輸入(301/600)和所述RF輸出(106)之間的輸出傳輸線(303)，其中，N為大于等于M的自然數；

所述N個晶體管(302)的輸出端子和所述分布式電流源(102)的M個DC輸出(104)分別與所述輸出傳輸線(303)連接。

8.根據權利要求6所述的設備(100)，其特征在于：

所述分布式放大器(101)包括并行連接的N個晶體管(302)和連接在所述另一DC輸入(301/600)和所述RF輸出(106)之間的輸出傳輸線(303)，其中，N為大于等于M的自然數；

所述N個晶體管(302)的輸出端子和所述分布式電流源(102)的M個DC輸出(104)分別與所述輸出傳輸線(303)連接。

9.根據權利要求7或8所述的設備(100)，其特征在于：

所述分布式放大器(101)包括連接在所述RF輸入(105)和參考電壓端口(305)之間的輸入傳輸線(304)；

所述N個晶體管(302)的控制端子與所述輸入傳輸線(304)連接。

10.根據權利要求7或8所述的設備(100)，其特征在于：

所述N個晶體管(302)為場效應晶體管或雙極型晶體管。

11.一種調制電路，其特征在于，包括：

根據權利要求1至10中任一項所述的設備(100)；以及

電光調制器(110)，包括與所述設備(100)的RF輸出(106)連接的RF輸入(201)。

12.根據權利要求11所述的調制電路，其特征在于：

所述電光調制器(110)包括用于供電電壓的DC輸入(202)，所述電光調制器(110)的DC輸入(202)與分布式電流源(102)的DC輸入(103)連接。