[發明專利]半導體部件、組合體以及半導體部件的制造方法

有效

• 申請號: 201780097068.8
• 申請日: 2017-11-24
• 公開（公告）號: CN111373271B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 鈴木健一;指田和之;山地瑞枝;吉田賢一;九里伸治
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: G01R15/18
• 分類號: G01R15/18;G01R19/00;H01F5/00
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體部件，其特征在于，包括：

半導體層，包含：繞組部、以及與所述繞組部的末端部連接后從所述繞組部的末端部繞回至起始端側的繞回線部，

所述繞組部以及所述繞回線部被配置在測定對象的四周從而將所述測定對象包圍，

所述繞組部埋設在所述半導體層內，

所述繞回線部不從所述繞組部內穿過，

所述半導體部件具有多個獨立的測定單元，

各所述測定單元具有所述繞組部以及所述繞回線部，

某個測定單元的所述繞組部的末端部與另一個測定單元的所述繞組部的起始端部相連接，

某個測定單元的所述繞回線部的起始端部與另一個測定單元的所述繞回線部的末端部相連接。

2.根據權利要求1所述的半導體部件，其特征在于：

其中，所述測定單元為柱形。

3.根據權利要求1或2所述的半導體部件，其特征在于：

其中，所述測定單元的數量為四個，

四個所述測定單元包括：第一測定單元、與所述第一測定單元相連接的第二測定單元、與所述第二測定單元相連接的第三測定單元、以及與所述第三測定單元相連接并且具有繞組部的末端部和繞回線部的起始端部的第四測定單元，

所述第二測定單元與所述第三測定單元為相同結構。

4.根據權利要求1所述的半導體部件，其特征在于：

其中，所述測定對象為電子裝置，

多個測定單元被配置為從側面將所述電子裝置包圍。

5.根據權利要求1所述的半導體部件，其特征在于：

其中，所述測定對象為檢測對象部，所述檢測對象部處流通有在電子裝置內流通的電流中的至少一部分電流，

所述半導體部件將所述檢測對象部包圍。

6.根據權利要求1所述的半導體部件，其特征在于：

其中，所述測定對象為檢測對象部，所述檢測對象部處流通有在電子裝置內流通的電流中的至少一部分電流，

所述半導體部件具有：所述檢測對象部、以及將所述檢測對象部包圍的所述繞組部以及所述繞回線部。

7.一種組合體，其特征在于，包括：

半導體部件，具有包含繞組部的半導體層，并且被配置為將測定對象包圍；

以及繞回線部，與所述繞組部的末端部連接后從所述繞組部的末端部繞回至起始端側，

所述繞組部埋設在所述半導體層內，

所述繞回線部不從所述繞組部內穿過，

所述繞組部以及所述繞回線部被配置在測定對象的四周從而將所述測定對象包圍，

所述半導體部件具有多個獨立的測定單元，

各所述測定單元具有所述繞組部以及所述繞回線部，

某個測定單元的所述繞組部的末端部與另一個測定單元的所述繞組部的起始端部相連接，

某個測定單元的所述繞回線部的起始端部與另一個測定單元的所述繞回線部的末端部相連接。

8.一種具有多個獨立的測定單元的半導體部件的制造方法，其特征在于，各所述測定單元的制造方法包括：

在半導體層上部分形成第一絕緣膜的工序；

利用所述第一絕緣膜形成溝槽的工序；

在所述溝槽的內側壁以及內底面形成第二絕緣膜的工序；

在形成有所述第二絕緣膜的溝槽內以及所述半導體層的一側配置導電性材料的工序；

通過將所述導電性材料圖案化，形成繞組部、以及在繞組部的邊緣內部或邊緣外部形成繞回線部的工序；以及

利用第三絕緣膜覆蓋所述繞組部以及所述繞回線部的工序，

其中，所述繞組部埋設在所述半導體層內，

所述繞回線部不從所述繞組部內穿過，

各所述測定單元具有所述繞組部以及所述繞回線部，

某個測定單元的所述繞組部的末端部與另一個測定單元的所述繞組部的起始端部相連接，

某個測定單元的所述繞回線部的起始端部與另一個測定單元的所述繞回線部的末端部相連接，

所述繞組部以及所述繞回線部被配置在測定對象的四周從而將所述測定對象包圍。