[發明專利]用于清洗半導體晶圓的系統在審
| 申請號: | 201780096916.3 | 申請日: | 2017-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN111357079A | 公開(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發明(設計)人: | 王暉;陳福發;陳福平;王堅;王希;張曉燕;金一諾;賈照偉;謝良智;王俊;李學軍 | 申請(專利權)人: | 盛美半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 清洗 半導體 系統 | ||
1.一種在清洗具有圖案結構特征的半導體晶圓中控制損傷的系統,該系統包括:
晶圓保持器,用于在清洗過程中臨時限制半導體晶圓;
入口,用于輸送清洗液到半導體晶圓表面;
聲波發生器,被配置為在第一預定時段以第一頻率和第一功率水平向清洗液傳遞聲能及在第二預定時段以第二頻率和第二功率水平向清洗液傳遞聲能,第一預定時段和第二預定時段先后交替施加且連續的一個接著一個;以及
控制器,被編程提供第一及第二頻率、第一及第二功率水平、第一及第二預定時段,以及第一和第二預定時段的循環數,
其中,第一及第二預定時段、第一及第二功率水平以及第一及第二頻率中的至少一個被確定使由于傳遞聲波能量而導致的損傷特征的百分比低于預定閾值。
2.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,清洗液中的氣泡尺寸由于聲能在第一預定時段內增大,在第二預定時段內減小。
3.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述晶圓保持器為旋轉卡盤。
4.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述晶圓保持器為浸沒在清洗槽中的晶圓盒。
5.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述入口包括噴頭。
6.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,進一步包括耦合在聲波發生器上的聲波換能器。
7.根據權利要求6所述的系統,其特征在于,所述聲波換能器位于半導體晶圓上方并與半導體晶圓之間存在一間隙,在清洗過程中,該間隙內充滿清洗液。
8.根據權利要求7所述的系統,其特征在于,所述間隙在清洗過程中是變化的。
9.根據權利要求6所述的系統,其特征在于,所述聲波換能器與入口相連接,并向流經該入口的清洗液傳遞聲能。
10.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述清洗液選自下述一種:化學液、去離子水和二者的組合。
11.根據權利1所述的系統,其特征在于,所述第二功率水平為零。
12.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一頻率等于第二頻率且兩個頻率在各自的工作時段內保持恒定,第一功率水平高于第二功率水平且兩個功率水平在各自的工作時段內保持恒定。
13.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一頻率高于第二頻率且兩個頻率在各自的工作時段內保持恒定,第一功率水平高于第二功率水平且兩個功率水平在各自的工作時段內保持恒定。
14.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一頻率低于第二頻率且兩個頻率在各自的工作時段內保持恒定,第一功率水平等于第二功率水平且兩個功率水平在各自的工作時段內保持恒定。
15.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一頻率低于第二頻率且兩個頻率在各自的工作時段內保持恒定,第一功率水平高于第二功率水平且兩個功率水平在各自的工作時段內保持恒定。
16.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一頻率低于第二頻率且兩個頻率在各自的工作時段內保持恒定,第一功率水平低于第二功率水平且兩個功率水平在各自的工作時段內保持恒定。
17.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一功率水平在第一預定時段內上升。
18.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一功率水平在第一預定時段內下降。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





