[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體模塊、電力轉(zhuǎn)換裝置及移動(dòng)體在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780096905.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111357106A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 酒井純也 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L25/07 | 分類(lèi)號(hào): | H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 模塊 電力 轉(zhuǎn)換 裝置 移動(dòng) | ||
1.一種半導(dǎo)體模塊,其具有:
第1端子部以及第2端子部,它們與外部連接;以及
第1電流路徑以及第2電流路徑,它們并聯(lián)地將所述第1端子部與所述第2端子部之間連接,
所述第1電流路徑包含:第1半導(dǎo)體裝置;第1配線部,其將所述第1端子部與所述第1半導(dǎo)體裝置連接;以及第2配線部,其將所述第1半導(dǎo)體裝置與所述第2端子部之間連接,
所述第2電流路徑包含:第2半導(dǎo)體裝置;第3配線部,其將所述第1端子部與所述第2半導(dǎo)體裝置連接;以及第4配線部,其將所述第2半導(dǎo)體裝置與所述第2端子部之間連接,
所述第1半導(dǎo)體裝置的通電能力低于所述第2半導(dǎo)體裝置的通電能力,所述第1配線部的阻抗與所述第2配線部的阻抗之和低于所述第3配線部的阻抗與所述第4配線部的阻抗之和。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
在平面視圖中,
所述第1配線部以最短距離將所述第1端子部與所述第1半導(dǎo)體裝置之間連接,
所述第2配線部以最短距離將所述第2端子部與所述第1半導(dǎo)體裝置之間連接,
所述第3配線部以最短距離將所述第1端子部與所述第2半導(dǎo)體裝置之間連接,
所述第4配線部以最短距離將所述第2端子部與所述第2半導(dǎo)體裝置之間連接,
所述第1端子部和所述第1半導(dǎo)體裝置之間的所述最短距離與所述第2端子部和所述第1半導(dǎo)體裝置之間的所述最短距離之和,短于所述第1端子部和所述第2半導(dǎo)體裝置之間的所述最短距離與所述第2端子部和所述第2半導(dǎo)體裝置之間的所述最短距離之和。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
所述第1配線部以及所述第2配線部的最小厚度厚于所述第3配線部以及所述第4配線部的最小厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
所述第1半導(dǎo)體裝置以及所述第2半導(dǎo)體裝置是雙極晶體管,
所述第1配線部與所述第1半導(dǎo)體裝置的集電極連接,所述第2配線部與所述第1半導(dǎo)體裝置的發(fā)射極連接,
所述第3配線部與所述第2半導(dǎo)體裝置的集電極連接,所述第4配線部與所述第2半導(dǎo)體裝置的發(fā)射極連接,
所述第1半導(dǎo)體裝置的集電極-發(fā)射極間飽和電壓高于所述第2半導(dǎo)體裝置的集電極-發(fā)射極間飽和電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
所述第1半導(dǎo)體裝置以及所述第2半導(dǎo)體裝置是柵極型晶體管,
所述第1半導(dǎo)體裝置的柵極閾值電壓高于所述第2半導(dǎo)體裝置的柵極閾值電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
所述第1半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通開(kāi)始延遲時(shí)間長(zhǎng)于所述第2半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通開(kāi)始延遲時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
所述第1電流路徑的阻抗等于所述第2電流路徑的阻抗。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
構(gòu)成所述第1半導(dǎo)體裝置以及所述第2半導(dǎo)體裝置的材料包含寬帶隙半導(dǎo)體材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊,其中,
構(gòu)成所述第1半導(dǎo)體裝置以及所述第2半導(dǎo)體裝置的材料包含碳化硅。
10.一種電力轉(zhuǎn)換裝置,其具有:
主轉(zhuǎn)換電路,其具有權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體模塊,該主轉(zhuǎn)換電路對(duì)輸入進(jìn)來(lái)的電力進(jìn)行轉(zhuǎn)換而輸出;以及
控制電路,其將對(duì)所述主轉(zhuǎn)換電路進(jìn)行控制的控制信號(hào)向所述主轉(zhuǎn)換電路輸出。
11.一種移動(dòng)體,其具有:
權(quán)利要求10所述的電力轉(zhuǎn)換裝置;以及
電動(dòng)機(jī),其由所述電力轉(zhuǎn)換裝置進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類(lèi)型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類(lèi)型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類(lèi)型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
- 電力控制器、電力生成系統(tǒng)以及電力控制器的控制方法
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