[發明專利]半導體裝置及其制造方法、以及汽車在審
| 申請號: | 201780096250.1 | 申請日: | 2017-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN111279475A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 中田洋輔 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張天舒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 及其 制造 方法 以及 汽車 | ||
本發明的目的在于提供一種實現了電感的降低的具有外部連接用框架的半導體裝置的構造。而且,就半導體裝置的螺釘(4)而言,頭部(42)埋入至在殼體(2)的框架載置臺(2t)設置的殼體槽部(G2)內,頭部(42)的側面以及表面被殼體(2)覆蓋,其結果,螺釘4固定于殼體2。螺紋部(41)以將在頭部(42)的上方配置的框架露出部(31)的框架貫通孔(32)貫通并朝向與基座板(1)相反側的上方凸出而露出的方式設置。
技術領域
本發明涉及IGBT、MOSFET、二極管等功率用半導體裝置所采用的、通過外部引線用框架將半導體芯片表面連接而取出電流的半導體裝置及其制造方法、以及包含上述半導體裝置作為結構要素的汽車。
背景技術
在構成IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET、二極管等功率用半導體裝置時,有時采用通過外部引線用框架將半導體芯片的表面連接而將電流取出至外部的半導體裝置即帶外部連接用框架的半導體裝置。
就上述帶外部連接用框架的半導體裝置而言,希望降低封裝體配線電感。特別是,就在內部具有因電感的影響而容易振蕩的以SiC作為構成材料的半導體元件的帶外部連接用框架的半導體裝置而言,希望降低封裝體配線電感,改善高頻動作中的電壓振蕩。
作為帶外部連接用框架的半導體裝置,例如在專利文獻1中公開了如下結構,即,將螺母內含于殼體內的端子座,通過在框架的一部分露出于殼體外的框架露出部來蓋住螺母。
專利文獻1:國際公開第2015/46416號(圖7~圖9)
發明內容
在專利文獻1所公開的技術中,通過將螺釘配置于上方、將螺母配置于下方的基于螺釘以及螺母的螺釘緊固處理,從而將帶外部連接用框架的半導體裝置的框架與外部端子連接,但為了獲得螺釘與螺母的摩擦力以及軸向力,難以減薄螺母的厚度。特別是就汽車用途的半導體裝置而言,由于要求耐振動性,因此難以降低緊固扭矩。并且,在外殼所內含的端子座的螺紋部收容空間中確保了向下方延伸的螺紋部的公稱直徑的基礎上,需要設置用于取得與基座板的絕緣的空間,因此,螺母需要進一步與基座板分離地形成。
就專利文獻1公開的那樣的帶外部連接用框架的半導體裝置而言,將螺母形成得較厚,并且,一邊確保與螺紋部的公稱直徑相應的絕緣,一邊與基座板分離地配置螺釘以及螺母,因此,在螺母之上配置的外部端子連接用框架的框架露出部必然遠離基座板而配置。
因此,產生框架的形成長度即配線長度變長,電感增加,因在基座板產生的渦電流導致的電感降低效果變弱等背反現象,因此存在以往的帶外部連接用框架的半導體裝置的電感變大的問題。
在本發明中,目的在于解決上述問題,提供一種實現了電感的降低的帶外部連接用框架的半導體裝置。
本發明所涉及的第1方式的半導體裝置的特征在于,具有:基座板;絕緣基板,其設置于所述基座板之上;電路圖案,其設置于所述絕緣基板之上;半導體元件,其設置于所述電路圖案之上;框架,其設置于所述半導體元件之上,與所述半導體元件電連接;以及殼體,其以將收容區域內的所述絕緣基板、所述電路圖案、所述半導體元件以及所述框架包圍的方式設置于所述基座板之上,具有絕緣性,所述框架包含:框架主體部,其設置于所述收容區域內;以及框架露出部,其以從所述框架主體部延伸至所述收容區域外而露出于所述殼體之上的狀態設置,所述框架露出部具有框架貫通孔,該半導體裝置還具有螺釘,該螺釘以頭部被所述殼體覆蓋、螺紋部將所述框架貫通孔的所述框架貫通孔貫通并朝向與所述基座板相反側凸出的方式設置。
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