[發明專利]包括在散熱器上的應變半導體層的結構

在審

• 申請號: 201780096067.1
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN111919351A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: A·埃爾巴茲;M·埃爾庫爾迪;A·阿亞斯梅;P·博考德;F·伯夫
• 申請（專利權）人: 意法半導體（克洛爾2）公司;國家科學研究中心;巴黎-薩克雷大學
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/34
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李興斌

1.一種結構，包括在半導體支撐件(5)上的包括鍺的半導體層或半導體層的堆疊的部分(3)，并且包括氮化硅層(7)，所述氮化硅層(7)圍繞并且使所述部分(3)應變，

其中所述半導體支撐件(5)通過金屬腳(22)與所述氮化硅層(7)分離。

2.根據權利要求1所述的結構，其中所述金屬腳(22)由鋁或鋁與硅的化合物制成。

3.根據權利要求1所述的結構，其中所述半導體層或所述半導體層的堆疊的所述半導體層中的每個由鍺、鍺-錫或硅-鍺-錫制成。

4.根據權利要求1所述的結構，其中所述部分(3)是激光器的諧振器。

5.根據權利要求1所述的結構，其中所述部分(3)是波導。

6.根據權利要求1所述的結構，其中所述金屬腳(22)具有大于600nm的高度。

7.根據權利要求1所述的結構，其中所述部分(3)具有在從200nm至500nm的范圍內的厚度。

8.根據權利要求1所述的結構，其中所述氮化硅層(7，48)具有在從200nm至700nm的范圍內的厚度。

9.根據權利要求1所述的結構，其中所述金屬腳(22)經由鍵合層的堆疊而被鍵合到所述半導體支撐件(5)。

10.根據權利要求9所述的結構，其中所述鍵合層的堆疊具有大約100nm的高度。

11.根據權利要求9所述的結構，其中所述鍵合層的堆疊包括兩個氧化硅層(24，26)。

12.根據權利要求9所述的結構，其中所述鍵合層的堆疊包括兩個金層(24，26，42，44)和抗擴散層(38)。

13.根據權利要求12所述的結構，其中所述抗擴散層(38)由氧化硅或氮化硅制成。

14.一種制造結構(20)的方法，包括以下順次步驟：

在第一半導體支撐件(32)的表面上形成層的堆疊，所述層的堆疊依次包括：

包括鍺的半導體層或半導體層的堆疊的部分(30)；

第一氮化硅層(34)；以及

金屬層(36)，使所述第一氮化硅層(34)應變，

將第二半導體支撐件(40)的表面與所述金屬層(36)鍵合，并且使所述堆疊與所述第一支撐件(32)分離；

選擇性地蝕刻所述金屬層(36)，以相對于所述第一氮化硅層(34)的橫向尺寸減小所述金屬層的寬度；以及

在所述半導體層(30)上各向同性地沉積第二氮化硅層(48)。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第二半導體支撐件(40)通過熱壓鍵合或通過分子鍵合而鍵合到所述金屬層(36)。