[發明專利]包括在高離子轟擊和低壓沉積環境下制備的氧化鎢膜的耐用電致變色器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201780094745.0
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN111065758B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: F·布蘭卡德;B·巴盧卡斯;L·馬丁努
• 申請（專利權）人: 依視路國際公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35;G02F1/1523
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張振軍;劉娜

1.一種制造電致變色(EC)器件的方法，所述方法包括：

向基板施加至少-400V的電偏壓；以及

在制造所述EC器件時，在向所述基板施加所述電偏壓期間，在所述基板上濺射沉積包括氧化鎢的EC膜，在小于5mTorr的壓力環境下進行所述濺射沉積，執行所述電偏壓的施加以提升所述濺射沉積期間的高能離子轟擊，

其中，包括氧化鎢的沉積態EC膜至少部分是納米晶。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括在所述基板上形成多個EC器件層，所述EC器件層至少包括對電極(CE)層和離子導體(IC)層，其中，所述EC膜形成為所述EC器件層的一部分。

3.如權利要求2所述的方法，其中，所述IC層包括促進與EC狀態轉變有關的氫離子遷移的電解質。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述EC膜的著色效率穩定，為+/-5％。

5.如權利要求3或權利要求4所述的方法，其中，電荷提取率為至少85％。

6.如權利要求3至5中任一項所述的方法，其中，著色狀態與脫色狀態之間的透射率變化保持為至少45％。

7.如權利要求2至6中任一項所述的方法，其中，所述IC層包括促進與EC狀態轉變有關的鋰離子遷移的電解質。

8.如權利要求1至7中任一項所述的方法，其中，所述EC膜包括2.7至3.3的氧鎢比。

9.如權利要求1至7中任一項所述的方法，其中，所述EC膜包括2.9至3.1的氧鎢比。

10.如權利要求1至9中任一項所述的方法，其中，所述EC膜包括在所述濺射沉積期間使用的來自惰性氣體的材料。

11.如權利要求10所述的方法，其中，所述EC膜包括2至3原子百分比的氬氣。

12.如權利要求1至11中任一項所述的方法，其中所述沉積態EC膜的RMS粗糙度(Rq)為2.50nm或更大。

13.如權利要求1至12中任一項所述的方法，其中，所述EC膜的積分表面積差隨時間推移而不會超過其沉積態值的兩倍。

14.如權利要求1至13中任一項所述的方法，其中，施加的所述電偏壓大于-500V。

15.如權利要求1至14中任一項所述的方法，其中，所述壓力為1mTorr至2mTorr。

16.如權利要求1至15中任一項所述的方法，其中，所述EC膜具有堆積密度小于85％的偽多孔納米結構。

17.如權利要求1至16中任一項所述的方法，其中，與在20mTorr的壓力下并且無電偏壓的條件下濺射包括氧化鎢的EC膜的情況相比，形成包括氧化鎢的所述EC膜的速度更快。

18.一種制造電致變色(EC)器件的方法，所述方法包括：

在玻璃基板上直接或間接形成第一透明導電涂層(TCC)；

在所述第一TCC上直接或間接形成多個EC器件層，所述EC器件層包括對電極(CE)層、直接或間接在所述CE層上的離子導體(IC)層以及直接或間接在所述IC層上的EC膜；以及

在所述EC器件層的最上層上直接或間接形成第二TCC；

其中，所述EC膜包括鎢和氧并且在用至少-400V的電壓對所述基板進行偏壓的同時在小于2mTorr的低壓下通過濺射沉積形成，并且

其中，沉積態EC膜具有堆積密度小于85％的偽多孔納米結構。