[發明專利]子放大器、開關裝置以及半導體裝置

有效

• 申請號: 201780094741.2
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN111095409B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 山田康利
• 申請（專利權）人: 超極存儲器股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 袁波;劉繼富

本發明提供一種子放大器、開關裝置及半導體裝置，通過使用單端信號線，能夠在抑制芯片面積增加的同時，同時地讀出或寫入大量數據。子放大器(SAP)具有：解除一對局部布線(LIOT、LIOB)的預充電的第一預充電電路(110)；基于寫入信號(WT)將寫入數據反相并經由局部布線(LIOT、LIOB)的一方從主布線(MIOB)向讀出放大器(SA)傳輸的局部反相驅動電路(120)；基于寫入信號(WT)將寫入數據經由局部布線(LIOT、LIOB)的另一方從主布線(MIOB)向讀出放大器(SA)傳輸的局部非反相驅動電路(130)；以及基于讀出信號(RT)將讀出數據反相并從局部布線(LIOT、LIOB)的一方向主布線(MIOB)傳輸的主反相驅動電路(140)。

技術領域

本發明涉及一種子放大器(sub amplifier)、開關裝置以及半導體裝置。

背景技術

以往，已知有具有多個功能塊的半導體裝置。例如，提出了無需增大芯片面積就能夠從一個塊中讀出大量數據的DRAM(Dynamic Random Access Memory：動態隨機存取存儲器)(例如，參照專利文獻1)。此外，提出了改善內部數據傳輸速度的邏輯混載DRAM(例如，參照專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平6-36556號公報；

專利文獻2：日本特開2001-67863號公報。

發明內容

發明要解決的課題

在專利文獻1所公開的DRAM中，能夠從讀出放大器列中獲取僅讀出放大器的數量的數據。此外，能夠共用寫入和讀出的數據線。另一方面，由于前提是選擇數據線為互補信號的電路結構，所以在選擇數據線傳輸單端信號的情況下不能進行寫入。因此，不能將選擇數據線用作單端信號線，不能削減選擇數據線來緩和選擇數據線的間距。

與此相對，在專利文獻2所公開的邏輯混載DRAM中，與兩個讀出放大器電路對應地配置1條內部數據線。內部數據線是單端信號線，傳輸1位數據信號。像這樣，通過使用單端信號線，能夠傳輸大量的數據信號。由此，與使用互補信號的情況相比，能夠緩和數據線的間距。只要能夠在使用單端信號線的同時由其他結構構成半導體裝置，則也是優選的。

本發明的目的在于，提供一種子放大器、開關裝置以及半導體裝置，通過使用單端信號線，能夠在抑制芯片面積增加的同時，同時地讀出或寫入大量的數據。

用于解決課題的方案

本發明涉及一種子放大器，其經由列開關與讀出放大器連接，并且與傳輸寫入數據以及讀出數據的主布線連接，所述子放大器具有：一對局部布線，其與所述讀出放大器以及所述列開關連接；第一預充電電路，其與一對所述局部布線分別連接，在寫入數據被寫入和讀出數據被讀出時解除一對所述局部布線的預充電；局部反相驅動電路，其與一對所述局部布線的一方以及所述主布線連接，基于寫入信號將寫入數據反相并經由所述局部布線的一方從所述主布線向所述讀出放大器傳輸；局部非反相驅動電路，其與一對所述局部布線的另一方以及所述主布線連接，基于寫入信號將寫入數據經由所述局部布線的另一方從所述主布線向所述讀出放大器傳輸；以及主反相驅動電路，其與一對所述局部布線的一方以及所述主布線連接，基于讀出信號將讀出數據反相并從所述局部布線的一方向所述主布線傳輸。

此外，優選的是，所述第一預充電電路在從所述讀出放大器讀出高電平數據、且所述局部布線的一方的電位低于規定的值的情況下，將所述局部布線的一方的電位維持在預充電電位。

此外，優選的是，所述第一預充電電路在向保持有高電平的數據的所述讀出放大器反相寫入低電平的數據、且所述局部布線的另一方的電位低于規定的值的情況下，將所述局部布線的另一方的電位維持在預充電電位。