[發明專利]集成光學開關

有效

• 申請號: 201780094476.8
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN111492583B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: H·澤格芒特;D·派徹;S·勒圖爾;J-F·魯;J-L·庫塔
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H03K17/78
• 分類號: H03K17/78;G01R13/34;H01L31/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種集成的光學開關，在半導體襯底中和半導體襯底上制造，集成的所述光學開關包括：光電導體體部(PC)，所述光電導體體部(PC)包括：第一端(1)和第二端(2)，所述第一端(1)被配置為接收電輸入信號，所述第二端(2)被配置為遞送電輸出信號，所述光電導體體部(PC)被配置為具有電接通狀態和電關斷狀態，所述電接通狀態通過存在光學信號(SO)來激活，并且所述電關斷狀態通過不存在光學信號(SO)來激活，其中從所述第一端到所述第二端的方向限定了縱向方向(D3)，并且所述光電導體體部具有與所述縱向方向(D3)正交的橫截面，所述橫截面沿所述縱向方向(D3)從所述第一端(1)向所述第二端(2)減小。

2.根據權利要求1所述的光學開關，其中所述光電導體體部(PC)的所述橫截面沿著逐漸減小的包絡(E)而逐漸減小。

3.根據權利要求2所述的光學開關，其中所述橫截面具有沿第一方向(D1)呈現的第一尺寸，沿與所述第一方向(D1)正交的第二方向(D2)呈現的第二尺寸，并且所述光電導體體部(PC)的所述橫截面的所述第一尺寸逐漸減小，所述第二尺寸保持恒定。

4.根據權利要求3所述的光學開關，其中所述第一尺寸是所述橫截面的寬度，所述橫截面的所述寬度平行于所述襯底的上表面被測量，所述第二尺寸是所述橫截面的高度，所述橫截面的所述高度垂直于所述襯底的所述上表面被測量。

5.根據權利要求3至4中的任一項所述的光學開關，其中所述光電導體體部(PC)的所述第一尺寸沿所述包絡(E)階梯式地減小，所述包絡(E)在所述縱向方向(D3)上隨相對于所述第一端(1)的距離而線性地減小。

6.根據權利要求3至4中任一項所述的光學開關，其中所述光電導體體部(PC)的所述第一尺寸沿所述包絡(E)階梯式地減小，所述包絡(E)在所述縱向方向(D3)上隨相對于所述第一端(1)的距離而指數地減小。

7.根據權利要求6所述的光學開關，其中所述光電導體體部(PC)的所述包絡(E)的所述第一尺寸隨如下項的乘積而指數地減小：所述光電導體體部(PC)的吸收系數(α)和在所述縱向方向(D3)上相對于所述第一端(1)的所述距離。

8.根據權利要求5所述的光學開關，其中所述光電導體體部(PC)包括多個并置的部分(p)，多個并置的所述部分沿所述縱向方向(D3)被布置在所述第一端(1)和所述第二端(2)之間，所述部分(p)被配置為使得在所述第一方向(D1)上測量的所述部分(p)的相應橫截面的所述第一尺寸隨著階梯而減小。

9.根據權利要求3至4中的任一項所述的光學開關，其中所述光學信號在所述第一端(1)處被遞送，并且旨在沿所述縱向方向(D3)傳播。

10.根據權利要求3至4中的任一項所述的光學開關，其中所述襯底(S)是絕緣體上硅襯底，所述絕緣體上硅襯底包括在掩埋絕緣層(30)上制造的半導體膜，所述掩埋絕緣層(30)是在載體襯底(31)上制造的，所述第一方向(D1)與所述掩埋絕緣層(30)平行，并且所述第二方向(D2)與所述掩埋絕緣層正交，并且所述光電導體體部(PC)是在所述半導體膜中制造的。

11.一種集成電子電路，包括：至少一個根據前述權利要求中的任一項所述的光學開關(DIS)。

12.根據權利要求11所述的電路，所述電路是采樣保持電路(EB)。