[發(fā)明專利]帶有后端晶體管的鐵電電容器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780094462.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111052379A | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | A.A.沙爾馬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/108 | 分類號(hào): | H01L27/108;H01L21/28;H01L27/24 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李嘯;陳嵐 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 帶有 后端 晶體管 電容器 | ||
一種集成電路包括后端薄膜晶體管(TFT)、電連接到后端TFT的鐵電電容器。后端TFT具有柵極電極、源極區(qū)和漏極區(qū)、在源極區(qū)與漏極區(qū)之間且物理連接源極區(qū)與漏極區(qū)的半導(dǎo)體區(qū)、以及柵極電極與半導(dǎo)體區(qū)之間的柵極電介質(zhì)。鐵電電容器具有電連接到源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個(gè)的第一端子、第二端子、以及第一端子與第二端子之間的鐵電電介質(zhì)。在實(shí)施例中,存儲(chǔ)器單元包括該集成電路,柵極電極電連接到字線,源極區(qū)電耦合到位線,并且漏極區(qū)是源極區(qū)和漏極區(qū)中的一個(gè)。在實(shí)施例中,嵌入式存儲(chǔ)器包括字線、位線以及字線和位線的相交區(qū)處的多個(gè)這樣的存儲(chǔ)器單元。
背景技術(shù)
嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(eDRAM)和嵌入式靜態(tài)RAM(eSRAM)通常與硅前端工藝有關(guān)。因此,由于諸如晶體管尺寸和節(jié)距限制等因素,這樣的存儲(chǔ)器占用了大量的集成電路(IC)面積。鐵電存儲(chǔ)器可用作非易失性DRAM和eDRAM替代存儲(chǔ)器。鐵電材料是針對(duì)電容器介電結(jié)構(gòu)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。然而,隨著更新的半導(dǎo)體工藝技術(shù),集成電路電容器中的介電結(jié)構(gòu)面積(以及因此,總存儲(chǔ)極化電荷)大大減少。這使得鐵電電容器縮放非常具有挑戰(zhàn)性。
附圖說明
圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施例的示例集成電路的橫截面圖,其包括帶有后端薄膜晶體管(TFT)的堆疊鐵電電容器。
圖2是根據(jù)本公開的實(shí)施例的示例集成電路的橫截面圖,其包括帶有后端TFT的U型鐵電電容器。
圖3是根據(jù)本公開的實(shí)施例的示例嵌入式存儲(chǔ)器的橫截面圖。
圖4A-4B分別是根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的示例選擇器TFT的橫截面圖和平面圖。
圖5A-5B是根據(jù)本公開的實(shí)施例的圖4A-4B的存儲(chǔ)器單元中的選擇器TFT的示例結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
圖6A-6B分別是根據(jù)本公開的實(shí)施例的圖4A-4B的存儲(chǔ)器單元中的示例金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的橫截面圖和平面圖。
圖7是根據(jù)本公開的實(shí)施例的圖6A-6B的存儲(chǔ)器單元中的MIM電容器的示例結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
圖8是根據(jù)本公開的實(shí)施例的示例嵌入式存儲(chǔ)器配置的示意平面圖。
圖9A是在存儲(chǔ)器陣列和存儲(chǔ)器外圍電路不重疊的情況下的嵌入式存儲(chǔ)器的示例布局的平面圖。
圖9B-9C是根據(jù)本公開的實(shí)施例的在存儲(chǔ)器陣列和存儲(chǔ)器外圍電路重疊的情況下的嵌入式存儲(chǔ)器的示例布局的平面圖。
圖10圖示根據(jù)本公開的實(shí)施例制造嵌入式存儲(chǔ)器的示例方法。
圖11圖示根據(jù)本公開的實(shí)施例利用本文公開的集成電路結(jié)構(gòu)和技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的示例計(jì)算系統(tǒng)。
呈現(xiàn)的實(shí)施例的這些和其他特征將通過閱讀下列詳細(xì)描述連同本文描述的圖一起而更好地被理解。在圖中,在各個(gè)圖中圖示的每個(gè)相同或幾乎相同的組件可以由類似的標(biāo)號(hào)表示。為了清楚起見,不是每個(gè)組件都可在每幅圖中標(biāo)記。此外,如將領(lǐng)會(huì)的那樣,圖不一定按比例繪制或并不意在將所描述的實(shí)施例限于示出的特定配置。例如,盡管一些圖通常指示直線、直角和光滑表面,但鑒于現(xiàn)實(shí)世界中制造工藝的局限性,所公開的技術(shù)的實(shí)際實(shí)現(xiàn)可能沒有完美的直線和直角,并且一些特征可能具有表面形貌或另外是非光滑的。簡(jiǎn)而言之,圖僅被提供用于示出示例結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





