[發明專利]電梯的控制裝置和控制方法

有效

• 申請號: 201780094417.0
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN111051231B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 三富直彥
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: B66B1/30
• 分類號: B66B1/30;B66B3/00;B66B13/14
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龔曉娟;鄧毅

在對由多相的半導體元件構成的逆變器進行控制而驅動電機使轎廂升降并使所述轎廂在到達樓層后進行再平層動作的電梯中，根據逆變器的各相的電流的檢測結果求出再平層動作前的半導體元件的第一溫度上升估計值(θe)，根據再平層動作時各相的電流流過的時間和電流對各相的電流實效值進行運算，在第一溫度上升估計值(θe)與第二溫度上升估計值(θn)相加而得到的值超過閾值(θth)時，判定為過熱，從而以抑制半導體元件的溫度上升的方式來控制再平層動作后的電梯的動作，該第二溫度上升估計值(θn)是依照所存儲的所述再平層動作時的電流實效值與半導體元件的溫度上升估計值(θn)之間的關系的、針對運算出的電流實效值的溫度上升估計值。

技術領域

本發明涉及控制電梯轎廂的升降的電梯的控制裝置和控制方法。

背景技術

電梯控制裝置具有逆變器裝置，該逆變器裝置對使電梯轎廂沿上下方向運轉的電機進行驅動控制。構成該逆變器裝置的半導體元件由于流過半導體元件的電流而發熱。

因此，在現有的電梯的控制裝置中，已知如下的電梯的控制裝置：具備開關損耗運算器和接通損耗運算器，該開關損耗運算器對構成逆變器裝置的半導體元件進行開關時的的瞬時的開關損耗進行運算，該接通損耗運算器對半導體元件接通、流過一定電流時的瞬時的接通損耗進行運算，根據這些開關損耗和接通損耗來估計瞬時的結溫上升，并與該結溫對應地減輕對半導體元件的負荷(例如參照下述專利文獻1)。

根據這樣的電梯的控制裝置，通過根據開關損耗和接通損耗來估計瞬時的結溫上升，能夠與結溫對應地減輕對半導體元件的負荷。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-255442號公報

發明內容

發明要解決的課題

然而，在上述電梯的控制裝置中，結溫的運算復雜，并且沒有區分通常運轉與再平層時的溫度上升。即，在轎廂的再平層動作時，轎廂的最高速度被設定為與通常相比的1/10以下，因此電機的驅動頻率變低。因此，接近直流的電流流過逆變器的特定二相的半導體元件。因此，存在僅在特定的半導體元件中發生急劇的溫度上升的課題。

本發明是為了解決上述那樣的課題而完成的，因此其目的在于得到如下的電梯的控制裝置和控制方法：通過簡單的結構對構成逆變器的半導體元件在再平層時的溫度上升進行高精度的檢測，并反映在再平層后的控制中。

用于解決課題的手段

本發明的電梯的控制裝置具備：主控制部，其對由多相的半導體元件構成的逆變器進行控制而驅動電機使轎廂升降，并使所述轎廂在到達樓層后進行再平層動作；電流檢測部，其檢測所述逆變器的各相的電流；溫度上升估計部，其根據所述電流檢測部的電流檢測結果求出再平層動作前的所述半導體元件的第一溫度上升估計值；時間檢測部，其檢測在所述再平層動作時各相的電流流過的時間；電流實效值運算部，其根據由所述電流檢測部檢測出的電流和由所述時間檢測部檢測出的時間來運算出各相的電流實效值；溫度上升信息存儲部，其存儲有所述再平層動作時的、電流實效值與所述逆變器的半導體元件的溫度上升估計值之間的關系；以及過熱判定部，其判定所述第一溫度上升估計值與第二溫度上升估計值相加而得到的值已超過閾值的情況，該第二溫度上升估計值是從所述溫度上升信息存儲部得到的、針對由所述電流實效值運算部運算出的電流實效值的溫度上升估計值，所述主控制部在所述第一溫度上升估計值與所述第二溫度上升估計值相加而得到的值超過閾值時，調整并控制所述再平層動作后的電梯的動作。

發明效果

在本發明中，能夠提供如下的電梯的控制裝置和控制方法：通過簡單的結構對構成逆變器的半導體元件在再平層時的溫度上升進行高精度的檢測，并反映在再平層后的控制中。

附圖說明

圖1是與電梯主要結構一起示出的本發明的一個實施方式的電梯的控制裝置的整體圖。