[發明專利]與具有L谷溝道的N型晶體管的改進的接觸在審
| 申請號： | 201780094408.1 | 申請日： | 2017-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN111033754A | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發明（設計）人： | D.克倫;C.韋伯;R.梅漢魯;H.肯內爾;B.楚-孔 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/66;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陳曉;劉春元 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 溝道 晶體管 改進 接觸 | ||
1.一種裝置，包括：
在襯底之上的第一區，其中，所述第一區包括具有L谷傳輸能帶結構的第一半導體材料；
在結處與所述第一區接觸的第二區，其中，所述第二區包括具有X谷傳輸能帶結構的第二半導體材料，其中第一和第二半導體材料的一個或多個晶體的<111>晶體方向與所述結大體上正交；和
與所述第二區相鄰的金屬，所述金屬通過所述結導電地耦合到所述第一區。
2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述襯底具有立方結晶度，并且其中，所述結相對于最接近所述襯底的（100）平面的所述第一區的表面大體上呈45度。
3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述襯底具有立方結晶度，并且其中，所述結與最接近所述襯底的（110）平面的所述第一區的表面大體上正交。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述襯底具有立方結晶度，并且其中，所述結與最接近所述襯底的（111）平面的所述第一區的表面大體上平行。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置，其中，所述結包括所述第一半導體材料的小面。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置，其中，所述第一半導體材料包括鍺或砷化銦鎵。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置，其中，所述第二半導體材料包括硅或硅鍺。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的裝置，其中，所述第二半導體材料包括具有緩變的鍺濃度的硅鍺，所述緩變的濃度包括在所述結附近的大于50％的鍺濃度。
9.一種NMOS器件，包括：
在襯底之上的溝道區，其中，所述溝道區包括具有L谷傳輸能帶結構的第一半導體材料；
在所述溝道區之上的柵極堆疊；
在結處與所述溝道區接觸的源極區，其中，所述源極區包括具有X谷傳輸能帶結構的第二半導體材料，其中第一和第二半導體材料的一個或多個晶體的<111>晶體方向與所述結大體上正交；和
與所述源極區相鄰的金屬，所述金屬通過所述結導電地耦合到所述溝道區。
10.根據權利要求9所述的NMOS器件，其中，所述襯底具有立方結晶度，并且其中所述結相對于最接近所述襯底的（100）平面的所述第一區的表面大體上呈45度。
11.根據權利要求9所述的NMOS器件，其中，所述襯底具有立方結晶度，并且其中所述結與最接近所述襯底的（110）平面的所述第一區的表面大體上正交。
12.根據權利要求9所述的NMOS器件，其中，所述襯底具有立方結晶度，并且其中所述結與最接近所述襯底的（111）平面的所述第一區的表面大體上平行。
13.根據權利要求9至12中任一項所述的NMOS器件，其中，所述結包括所述第一半導體材料的小面。
14.根據權利要求9至12中任一項所述的NMOS器件，其中，所述第一半導體材料包括鍺或砷化銦鎵。
15.根據權利要求9至12中任一項所述的NMOS器件，其中，所述第二半導體材料包括硅或硅鍺。
16.根據權利要求9至12中任一項所述的NMOS器件，其中，所述第二半導體材料包括具有緩變的鍺濃度的硅鍺，所述緩變的濃度包括在所述結附近的大于50％的鍺濃度。
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