[發明專利]場效應晶體管

有效

• 申請號: 201780094262.0
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN111052322B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 渡邊伸介
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/338;H01L29/78;H01L29/812
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種場效應晶體管，其特征在于，具有：

半導體基板；

多個漏極電極，它們設置于所述半導體基板的第一面，在第一方向延伸；

多個源極電極，它們設置于所述半導體基板的所述第一面，在所述第一方向延伸，與所述多個漏極電極彼此交替地排列；

多個柵極電極，它們設置于所述半導體基板的所述第一面，在所述第一方向延伸，各自設置于所述多個源極電極與所述多個漏極電極之間；

輸入端子，其與所述多個柵極電極連接；

輸出端子，其與所述多個漏極電極連接；以及

多個金屬層，它們在所述半導體基板與所述第一面分離地設置，在與所述第一方向交叉的第二方向延伸，在從與所述第一面垂直的方向觀察時與所述多個漏極電極交叉，

所述多個金屬層包含第一金屬層和第二金屬層，所述第二金屬層比所述第一金屬層長，并且從垂直于所述第一面的方向觀察，相比于所述第一金屬層，所述第二金屬層與更多的漏極電極交叉，

所述多個漏極電極中越是從所述輸入端子至所述輸出端子為止的線路長度短的漏極電極則在其正下方設置越多的金屬層。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述多個金屬層從所述多個漏極電極中的所述線路長度最短的漏極電極的正下方起向所述第二方向延伸。

3.根據權利要求1或2所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述輸入端子和所述輸出端子在所述半導體基板的與所述第一方向垂直的方向的中央部夾著所述多個漏極電極而設置，

所述多個金屬層從設置于所述中央部的漏極電極的正下方起向所述第二方向的兩側延伸。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述多個金屬層在所述第一方向等間隔地排列，

所述多個漏極電極中越是所述線路長度短的漏極電極則在其正下方在所述第一方向以越短的間隔設置所述多個金屬層。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述多個金屬層各自包含多個所述第一金屬層和多個所述第二金屬層，

所述多個第一金屬層和所述多個第二金屬層在所述第一方向彼此交替地排列。

6.一種場效應晶體管，其特征在于，具有：

半導體基板；

多個漏極電極，它們設置于所述半導體基板的第一面，在第一方向延伸；

多個源極電極，它們設置于所述半導體基板的所述第一面，在所述第一方向延伸，與所述多個漏極電極彼此交替地排列；

多個柵極電極，它們設置于所述半導體基板的所述第一面，在所述第一方向延伸，各自設置于所述多個源極電極與所述多個漏極電極之間；

輸入端子，其與所述多個柵極電極連接；

輸出端子，其與所述多個漏極電極連接；以及

多個金屬層，它們在所述半導體基板與所述第一面分離地設置，在與所述第一方向交叉的第二方向延伸，在從與所述第一面垂直的方向觀察時與所述多個漏極電極交叉，

所述多個漏極電極中越是從所述輸入端子至所述輸出端子為止的線路長度短的漏極電極則與所述多個金屬層之間的距離越短。

7.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述多個金屬層的每一者的與所述第一面垂直的方向的高度沿所述第二方向而變化。

8.根據權利要求7所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述輸入端子和所述輸出端子在所述半導體基板的與所述第一方向垂直的方向的中央部夾著所述多個漏極電極而設置，

就所述多個金屬層的每一者而言，越是在所述第二方向遠離所述中央部，則所述高度越低。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述多個金屬層設置于所述半導體基板的與所述第一面相反側的面即第二面。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，

所述多個金屬層與所述半導體基板的第二面分離地設置，該第二面是所述半導體基板的與所述第一面相反側的面。