[發明專利]半絕緣性砷化鎵晶體基板

在審

• 申請號: 201780094136.5
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN111032930A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 河本真彌;木山誠;石川幸雄;橋尾克司
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/42
• 分類號: C30B29/42
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;牛嵩林

1.一種半絕緣性砷化鎵晶體基板，所述半絕緣性砷化鎵晶體基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直徑，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距離分別為0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的點為中心的三個測量區域中的每一個區域中具有5×10⁷Ω·cm以上的比電阻的平均值和0.50以下的變異系數，所述變異系數通過用比電阻的標準偏差除以比電阻的平均值而得到。

2.根據權利要求1所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述主表面的2Rmm的直徑為150mm以上。

3.根據權利要求1或2所述的半絕緣性砷化鎵晶體基板，其中所述比電阻的所述變異系數為0.10以下。