[發明專利]利用RF濺射裝置形成OLED用有機薄膜層的方法及RF濺射裝置及用于RF濺射裝置的靶材成型裝置

在審

• 申請號: 201780093821.6
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN111051565A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 蘇文淑
• 申請（專利權）人: 蘇文淑
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/12;C23C14/56;H01L51/56
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;宋東穎

1.一種利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，包括：

在RF濺射裝置的腔室內部的陰極上設置包含用于形成OLED用發光有機物質的薄膜層的靶物質的靶材，并在所述腔室內部設置用于蒸鍍所述靶物質的基板的步驟；

將所述腔室內部保持真空之后，注入反應氣體的步驟；以及，

對所述靶材施加能夠產生等離子且不損傷所述靶物質的最小RF功率以及最大磁場的步驟。

2.根據權利要求1所述的利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，

施加于所述靶材的磁場強度為1000～5000高斯，

施加于所述靶材的RF功率為0.5～10W/cm²。

3.根據權利要求1所述的利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，所述靶材的制作步驟包括：

準備靶材制作用腔室；

將所述靶物質填充到所述腔室內的靶材制作用模具中；

將所述腔室保持在規定真空度，并將所述模具加熱至規定溫度；

以規定的壓力按壓填充到所述模具中的所述靶物質；以及，

將所述真空度、所述溫度及所述壓力保持規定時間。

4.根據權利要求3所述的利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，

所述真空度為10^-3托以下，

所述溫度為50～300℃，

所述壓力為10kg～500kg/cm²，

所述時間為10分鐘以上。

5.根據權利要求3所述的利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，所述制作步驟還包括：

在成型的所述靶材的一側面附著背板。

6.根據權利要求1所述的利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，

所述靶材和所述基板之間的距離是100～200mm。

7.根據權利要求1所述的利用RF濺射裝置形成OLED用發光有機物質的薄膜層的方法，其特征在于，

所述反應氣體通過冷凝器冷卻后，通過設置在所述靶材附近的噴嘴注入到所述腔室來冷卻所述靶材。

8.一種用于形成OLED用有機薄膜層的RF濺射裝置，其特征在于，包括：

腔室；

基板架，其設置有用于蒸鍍靶物質的基板；

靶材架，其設置有包含用于形成OLED用發光有機物質的薄膜層的所述靶物質的靶材，并且設置有用于對所述靶材和所述基板之間施加規定磁場的磁鐵；

真空泵，其用于將所述腔室內部保持真空；

反應氣體供給器，其用于向所述腔室內部注入規定的反應氣體；以及

RF電源，其為了在所述靶材和所述基板之間產生等離子，通過所述靶材架對所述靶材施加規定的RF功率，

并且，所述RF電源施加能夠產生等離子且不損傷所述靶物質的最小RF功率，

所述磁鐵施加不損傷所述靶物質的最大磁場。

9.根據權利要求8所述的用于形成OLED用有機薄膜層的RF濺射裝置，其特征在于，

通過所述磁鐵施加到所述靶材的磁場為1000～5000高斯，

通過所述RF電源施加到所述靶材的RF功率為0.5～10W/cm²。