[發明專利]研磨液和研磨方法

有效

• 申請號: 201780093690.1
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN110997856B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 大塚祐哉;巖野友洋
• 申請（專利權）人: 昭和電工材料株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;B24B37/00;H01L21/3105;H01L21/321
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 杜娟

1.一種研磨液，其含有：

磨粒、

分子量為210以上的膦酸化合物、

選自氨基酸和氨基酸衍生物中的至少一種氨基酸成分；

所述磨粒的硅烷醇基密度在6.5個/nm²以下，

所述磨粒的締合度在1.5~3.0，

所述磨粒包含二氧化硅，

以研磨液的總質量為基準計，所述磨粒的含量為0.10質量％~5.0質量％，所述膦酸化合物的含量為0.005質量％~1.0質量％，所述氨基酸成分的含量為0.005質量％~1.0質量％。

2.根據權利要求1所述的研磨液，其中，所述磨粒包含膠態二氧化硅。

3.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的硅烷醇基密度在2.0個/nm²以下。

4.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的硅烷醇基密度在1.0個/nm²以上。

5.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的締合度在2.0以上。

6.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的平均一次粒徑為40nm以下。

7.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的平均一次粒徑為15nm以上。

8.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的平均二次粒徑為80nm以下。

9.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的平均二次粒徑為30nm以上。

10.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的ζ電位為正。

11.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述磨粒的ζ電位為+16mV以下。

12.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，以研磨液的總質量為基準計，所述磨粒的含量為0.50質量％以上。

13.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，以研磨液的總質量為基準計，所述磨粒的含量為3.0質量％以下。

14.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物的分子量為280以上。

15.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物的分子量為350以下。

16.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物中的膦酸基的數目為3以上。

17.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物中的膦酸基的數目為6以下。

18.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物中的膦酸基的數目為4以下。

19.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物包括包含氮原子的化合物。

20.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物包括叔胺化合物。

21.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物具有羧基。

22.根據權利要求1或2所述的研磨液，其中，所述膦酸化合物中的羧基的數目為3以上。