[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201780093211.6
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN111316428B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 梅田宗一郎;久德淳志
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，在其上端面設置有第一導電層；

半導體元件，其配置于所述基板的所述上端面，并且具有：設置在其下端面且被電連接于所述第一導電層的第一端子；以及設置在其上端面且輸入有控制用信號的第二端子；

封裝部，封裝所述基板以及半導體元件；

引線框，其一端部在所述封裝部內與所述半導體元件的所述第二端子的上端面相接觸，其另一端部從所述封裝部露出；以及

控制用導電性接合材料，其將所述半導體元件的所述第二端子的上端面與所述引線框的所述一端部之間接合且具有導電性，

其中，所述引線框的所述一端部包含：基準部；中間部，其相連于所述基準部且位于比所述基準部更靠近所述一端部的前端側；以及傾斜部，其相連于所述中間部且位于所述一端部的前端的同時，具有從所述中間部向下方傾斜的形狀，

所述傾斜部以及所述中間部的上下方向的厚度比所述基準部的上下方向的厚度更薄。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第二端子的上端面具有長方形的形狀，所述傾斜部至少位于所述第二端子的上端面的中心上，并且所述控制用導電性接合材料位于所述傾斜部的下端面與所述第二端子的上端面的所述中心之間，從而將所述傾斜部的下端面與所述第二端子的上端面之間通過所述控制用導電性接合材料來進行接合。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，在從所述第二端子的上端面的中心偏離的所述第二端子的上端面的第一邊的附近的區域處，所述傾斜部的前端與所述第二端子的上端面在與所述第一邊平行的方向上線接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述控制用導電性接合材料被連續設置在：從所述第二端子的上端面中的至少所述傾斜部的前端與所述第二端子相接觸的所述第一邊的附近的區域處開始，經過所述第二端子的上端面的所述中心后，直至與所述第一邊相向的第二邊的附近的區域上。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述傾斜部的上下方向的厚度與所述中間部的上下方向的厚度相同。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述傾斜部的寬度比所述基準部的寬度更小。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述中間部被形成為：其寬度從所述基準部朝著所述傾斜部變窄。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述半導體元件是MOSFET，在所述半導體元件中，所述第一端子是漏極端子、所述第二端子是柵極端子、在其上端面設置有面積比所述第二端子更大的作為第三端子的源極端子。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述引線框是控制用引線框，其輸入有用于控制所述MOSFET的所述控制用信號，

所述半導體裝置進一步包括：

漏極用引線框，其一端部在向所述封裝部內的所述基板的所述上端面的邊方向延伸的端部處與所述第一導電層的上端面接觸，其另一端部從所述封裝部露出；以及

第一導電性接合材料，其在所述基板的所述端部處將所述第一導電層的上端面與所述漏極用引線框的所述一端部的下端面側之間接合且具有導電性，

所述控制用引線框的上下方向的厚度與所述漏極用引線框的上下方向的厚度相同。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述控制用引線框的所述一端部的寬度比所述第一引線框的所述一端部的寬度更小。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述第一引線框的所述一端部與所述另一端部具有相同的厚度。