[發明專利]水性分散體、水性分散體的制造方法、水包油型乳液、水包油型乳液的制造方法、和設計方法

在審

• 申請號: 201780093007.4
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN110891901A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 五十嵐憲二;仙石文衣理;淺川幸彥
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C01B33/18
• 分類號: C01B33/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李海霞

1.一種無機顆粒的水性分散體，包括以聚集狀態分散在水中的無機顆粒群，其中由(從每個無機顆粒群獲得的整個無機顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個無機顆粒群獲得的整個無機顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比在規定的下限值或更大值的范圍內，這取決于無機顆粒的聚集性質，從而所述無機顆粒群包含自膠束狀聚集體和富疏水性聚集體。

2.一種無機顆粒的水性分散體，包括以聚集狀態分散在水中的無機顆粒群，其中由(從每個無機顆粒群獲得的整個無機顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個無機顆粒群獲得的整個無機顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比在規定的上限值或更小值的范圍內，這取決于無機顆粒的聚集性質，從而所述無機顆粒群包含自膠束狀聚集體和富親水性聚集體。

3.一種無機顆粒的水性分散體，包括以聚集狀態分散在水中的無機顆粒群，其中由(從每個無機顆粒群獲得的整個無機顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個無機顆粒群獲得的整個無機顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比在規定的下限值或更大值和規定的上限值或更小值的范圍內，這取決于無機顆粒的聚集性質，從而所述無機顆粒群包含自膠束狀聚集體。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的無機顆粒的水性分散體，其中所述無機顆粒群包含二氧化硅。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的無機顆粒的水性分散體，其中所述無機顆粒群包含氣相二氧化硅，規定的下限值為20/80，并且規定的上限值為80/20。

6.一種用于制備氣相二氧化硅顆粒的水性分散體的方法，包括以聚集狀態分散在水中的氣相二氧化硅顆粒群，其中由(從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比在氣相二氧化硅顆粒群的原料階段設定變為20/80或更大，并且氣相二氧化硅顆粒的水性分散體包含自膠束狀聚集體和富疏水性聚集體。

7.一種用于制備氣相二氧化硅顆粒的水性分散體的方法，包括以聚集狀態分散在水中的氣相二氧化硅顆粒群，其中由(從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比在氣相二氧化硅顆粒群的原料階段設定變為80/20或更大，并且氣相二氧化硅顆粒的水性分散體包含自膠束狀聚集體和富親水性聚集體。

8.一種用于制備氣相二氧化硅顆粒的水性分散體的方法，包括以聚集狀態分散在水中的氣相二氧化硅顆粒群，其中由(從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比在氣相二氧化硅顆粒群的原料階段設定變為20/80或更大和80/20或更小，并且氣相二氧化硅顆粒的水性分散體包含自膠束狀聚集體。

9.一種通過在二級聚集水平下的氣相二氧化硅顆粒群制備包含自膠束狀聚集體群的水性分散體的方法，包括

制備在二級聚集水平下的氣相二氧化硅顆粒群的階段，使得由(從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面親水基團的總摩爾數/從每個氣相二氧化硅顆粒群獲得的整個氣相二氧化硅顆粒群的表面疏水基團的總摩爾數)表示的總摩爾數比為20/80或更大和80/20或更小，和

將制備的在二級聚集水平下的氣相二氧化硅顆粒群加到水中以形成在二級聚集水平下的氣相二氧化硅顆粒群的自膠束狀聚集體的階段。

10.根據權利要求8和9中任一項所述的用于制備氣相二氧化硅顆粒的水性分散體的方法，包括施加足以使在二級聚集水平下的氣相二氧化硅顆粒群中的在一級聚集水平下的氣相二氧化硅顆粒群交換的剪切力的過程，同時將所述氣相二氧化硅顆粒群分散在水中。