[發明專利]半導體裝置以及其制造方法

在審

• 申請號: 201780092980.4
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN110870077A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 石田茂;井上智博;高倉良平
• 申請（專利權）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括薄膜晶體管，

所述薄膜晶體管包含：

基板；

柵極電極，被所述基板支撐；

半導體層，在所述柵極電極上介隔柵極絕緣層而設置，所述半導體層包含：第一區域、第二區域、位于所述第一區域以及所述第二區域之間，且，從所述基板的法線方向觀察時與所述柵極電極重疊的源極漏極間區域，其中所述源極漏極間區域包含溝道區域；

與所述第一區域相接的第一接觸層、以及與所述第二區域相接的第二接觸層；

源極電極，經由所述第一接觸層而與所述第一區域電連接；以及

漏極電極，經由所述第二接觸層而與所述第二區域電連接；其中

所述半導體層包含結晶質硅區域，所述結晶質硅區域的至少一部分位于所述源極漏極間區域；

所述半導體層位于所述源極漏極間區域，且，包含到達所述柵極絕緣層的至少一個開口部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還包括：

絕緣層，覆蓋所述薄膜晶體管；

所述絕緣層在所述至少一個開口部內與所述柵極絕緣層相接。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述絕緣層與所述半導體層的所述溝道區域的上表面相接。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一接觸層以及第二接觸層分別包含：

第一非晶硅層，與所述半導體層相接；以及

第二非晶硅層，配置在所述第一非晶硅層上，且，具有比所述第一非晶硅層高的導電率。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一非晶硅層包含所述半導體層的所述溝道區域、與所述第一區域以及所述第二區域相接，且，與所述至少一個開口部對應的開口；

所述第一非晶硅層之中與所述溝道區域相接的部分比與所述第一區域以及所述第二區域相接的部分薄。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述薄膜晶體管還包含配置在所述半導體層的一部分上以及所述至少一個開口部內的保護層；

所述保護層與所述溝道區域的上表面的至少一部分相接，且，在所述至少一個開口部內與所述柵極絕緣層相接。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體層還包含非晶質硅區域。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述非晶質硅區域的至少一部分配置在所述源極漏極間區域。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述源極漏極間區域中，所述結晶質硅區域由所述非晶質硅區域的所述至少一部分分離成兩個以上。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述至少一個開口部被所述結晶質硅區域包圍。

11.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述至少一個開口部配置在所述結晶質硅區域與所述非晶質硅區域的界面的一部分上。

12.根據權利要求8或9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述至少一個開口部包含在所述薄膜晶體管的溝道長度方向隔出間隔而配置的兩個開口部，所述非晶質硅區域的至少一部分位于所述兩個開口部之間。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，包含：

顯示區域，包含多個像素；

所述薄膜晶體管配置在所述顯示區域的各像素，

還包括在所述顯示區域以外的區域設置的驅動電路；

所述驅動電路包含其他薄膜晶體管；

在所述其他薄膜晶體管的源極漏極間區域未設置有開口部。