[發明專利]襯底處理裝置、石英反應管、清潔方法以及程序

在審

• 申請號: 201780092892.4
• 申請日: 2017-09-25
• 公開（公告）號: CN110870050A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 岡嶋優作;佐佐木隆史;吉田秀成;西堂周平;石坂光范;三村英俊
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/44;H01L21/22;H01L21/3065
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

本發明公開了使用排氣性經改善后的雙重管反應管的襯底處理裝置。反應管具有：排氣端口，其與外管和內管之間的排氣空間連通；第1排氣口(4E)，其設置于內管，將處理氣體排出；多個第2排氣口(4H、4J)，其使排氣空間與歧管的內側的空間連通；以及多個第3排氣口(4G)，其在與隔熱組件相對的部位的內管開口。第2排氣口促進在距第1排氣口遠的排氣空間中滯留的氣體的排氣。

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置、石英反應管、清潔方法以及程序。

背景技術

在半導體器件(Device)的制造工序的襯底(晶片)的熱處理中，使用例如縱型襯底處理裝置。在縱型襯底處理裝置中，通過襯底保持件將多個襯底以沿垂直方向排列的方式保持，并將襯底保持件搬入處理室內。然后，在通過在處理室外設置的加熱器對襯底加熱了的狀態下向處理室內導入處理氣體，針對襯底進行薄膜形成處理等。另外，在附著于處理室內的膜發生剝離前，進行將其除去的干式清潔等。以往，已知在使用雙重管的縱型襯底處理裝置中進行清潔的技術(例如，參見專利文獻1及2)。另外，為了改善排氣，在反應管等的局部設置開口的技術是已知的(例如，參見專利文獻3及5)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-119343號公報

專利文獻2：日本特開2014-209572號公報

專利文獻3：日本特開2001-196364號公報

專利文獻4：日本特開平07-193012號公報

專利文獻5：美國專利申請公開第2013/0175650號說明書

發明內容

發明要解決的課題

在處理室的清潔中，為了能在抑制對處理室等造成損傷的同時有效除去作為對象的膜，應用與膜的種類對應的各種氣體、溫度條件。例如，存在重復下述過程的方法：在為了容易將膜除去而將膜暴露于使之改性(氧化)的第1氣體中后，將其暴露在用于除去改性后的膜的第2氣體中。另外，在與除去反應相伴的副產物等是會腐蝕處理室的物質的情況下，存在為了快速將這些物質排出而使用基于非活性氣體的吹掃的情況。

但是，在使石英反應管成為雙重構造的情況下，容易在外管與內管的間隙中滯留氣體。在這樣的部位，清潔氣體的供給少且排氣也慢。其結果，存在清潔變得不完全、或清潔所需的時間延長的問題。另外，對于雙重管構造而言，其在向襯底的成膜時有助于使得原料氣體容易在襯底上流動、并加快在襯底上流動的氣體的流速，另一方面，對內管內的比襯底處理位置靠下側的隔熱空間進行吹掃的非活性氣體變得易于流入襯底處理空間。其結果，成為膜厚根據襯底被配置的上下位置而波動的原因。

本發明的目的在于提供縮短清潔時間的技術。

用于解決課題的手段

在本發明的一方案中，襯底處理裝置具備：反應管，其具有一端分別封閉的外管和內管；圓筒狀的歧管，其與所述反應管的開口端側連接；密封蓋，其封堵所述歧管的與連接于所述反應管的端相反的端；旋轉機構，其貫通所述密封蓋并傳遞旋轉；和氣體供給管，其供給對歧管的內側的空間進行吹掃的吹掃氣體。所述反應管具有：排氣端口，其與外管和內管之間的排氣空間連通；第1排氣口，其設置于內管，排出處理氣體；和多個第2排氣口，其使所述排氣空間與所述歧管的內側的空間連通，所述第2排氣口中的至少一個促進在距所述第1排氣口遠的排氣空間中滯留的氣體的排氣。

發明效果

根據本發明，能夠改善雙重管的間隙中的氣體滯留，縮短清潔時間并改善襯底間的膜均勻性。

附圖說明

圖1是實施方式的襯底處理裝置的示意圖。