[發(fā)明專利]存儲器和寫數(shù)據(jù)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780091862.1
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN110753965B
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 弗洛里安.朗諾斯;恩金·伊佩克;肖世海
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11329
• 代理人: 陳洪艷;王君

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括M行×N列存儲單元、M根字線和N個位線對，所述N個位線對中的每個位線對包括一根位線和一根源極線，其中，所述存儲單元陣列中位于第i行的存儲單元連接在所述M根字線的第i根字線上，所述存儲單元陣列中位于第j列的存儲單元并聯(lián)在所述N個位線對的第j個位線對的位線以及源極線之間，M和N均為大于等于2的整數(shù)，i為大于等于0且小于M的整數(shù)，j為大于等于0且小于N的整數(shù)；

控制器，與所述存儲單元陣列連接，并用于：

獲取待寫入所述存儲單元陣列中的Q行存儲單元的Q行數(shù)據(jù)，其中，所述Q行數(shù)據(jù)中的每一行數(shù)據(jù)包括待寫入相應存儲單元的P位，其中，所述Q為小于等于M的正整數(shù)，P為小于等于N的正整數(shù)；

對P列存儲單元中的第j列存儲單元執(zhí)行復位操作，以使所述第j列存儲單元均被寫入第一數(shù)值；

在所述Q行數(shù)據(jù)中確定待寫入的行，所述待寫入的行的數(shù)據(jù)的第j位為第二數(shù)值；

向所述第j列存儲單元中的所述待寫入的行的存儲單元并行寫入所述第二數(shù)值；

所述存儲器還包括：

中央緩存器，用于緩存待寫入所述存儲單元陣列的所述Q行數(shù)據(jù)，且所述Q行數(shù)據(jù)均為臟數(shù)據(jù)，所述臟數(shù)據(jù)包括與所述存儲單元陣列中的數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)；

其中，所述控制器用于：

從所述中央緩存器中獲取所述Q行數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述控制器用于：

在一個或多個位線對上施加用于寫入所述第一數(shù)值的寫電壓，并在所述Q根字線上施加開啟電壓以執(zhí)行所述復位操作，所述一個或多個位線對包括所述第j個位線對；

在所述第j個位線對上施加用于寫入所述第二數(shù)值的寫電壓，并在所述待寫入的行對應的字線上施加開啟電壓，以向所述待寫入的行的存儲單元中并行寫入所述第二數(shù)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲器，其特征在于，Q＞P。

4.一種寫數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，所述方法應用于包含有存儲單元陣列以及與所述存儲單元陣列連接的控制器的存儲器中，所述存儲單元陣列包括M行×N列存儲單元、M根字線和N個位線對，所述N個位線對中的每個位線對包括一根位線和一根源極線，其中，所述存儲單元陣列中位于第i行的存儲單元連接在所述M根字線的第i根字線上，所述存儲單元陣列中位于第j列的存儲單元并聯(lián)在所述N個位線對的第j個位線對的位線以及源極線之間，M和N均為大于等于2的整數(shù)，i為大于等于0且小于M的整數(shù)，j為大于等于0且小于N的整數(shù)，所述方法包括：

所述控制器獲取待寫入所述存儲單元陣列中的Q行存儲單元的Q行數(shù)據(jù)，其中，所述Q行數(shù)據(jù)中的每一行數(shù)據(jù)包括待寫入相應存儲單元的P位，其中，所述Q為小于等于M的正整數(shù)，P為小于等于N的正整數(shù)；

所述控制器對所述P列存儲單元中的第j列存儲單元執(zhí)行復位操作，以使所述第j列存儲單元均被寫入第一數(shù)值；

所述控制器在所述Q行數(shù)據(jù)中確定待寫入的行，所述待寫入的行的數(shù)據(jù)的第j位為第二數(shù)值；

所述控制器向所述第j列存儲單元中的所述待寫入的行的存儲單元并行寫入所述第二數(shù)值；

所述存儲器還包括中央緩存器，所述方法還包括：

所述中央緩存器緩存待寫入所述存儲單元陣列的所述Q行數(shù)據(jù)，且所述Q行數(shù)據(jù)均為臟數(shù)據(jù)，所述臟數(shù)據(jù)包括與所述存儲單元陣列中的數(shù)據(jù)不同的數(shù)據(jù)；

其中，所述控制器獲取待寫入所述存儲單元陣列中的Q行存儲單元的Q行數(shù)據(jù)，包括：

所述控制器從所述中央緩存器中獲取所述Q行數(shù)據(jù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制器對所述P列存儲單元中的第j列存儲單元執(zhí)行復位操作，以使所述第j列存儲單元均被寫入第一數(shù)值，包括：

所述控制器在一個或多個位線對上施加用于寫入所述第一數(shù)值的寫電壓，并在所述Q根字線上施加開啟電壓以執(zhí)行所述復位操作，所述一個或多個位線對包括所述第j個位線對；

其中，所述控制器向所述第j列存儲單元中的所述待寫入的行的存儲單元并行寫入所述第二數(shù)值，包括：

所述控制器在所述第j個位線對上施加用于寫入所述第二數(shù)值的寫電壓，并在所述待寫入的行對應的字線上施加開啟電壓，以向所述待寫入的行的存儲單元中并行寫入所述第二數(shù)值。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，Q＞P。