[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780091490.2
• 申請(qǐng)日: 2017-06-07
• 公開（公告）號(hào): CN110741461B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西口浩平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/288
• 分類號(hào): H01L21/288
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：

在半導(dǎo)體基板之上形成絕緣膜，該絕緣膜具有形成了開口的開口部；

在避開所述開口部和通過所述開口部露出的所述半導(dǎo)體基板的同時(shí)，在所述絕緣膜之上形成第1抗蝕層；

通過蒸鍍法或者濺射法，在所述開口部、所述第1抗蝕層和通過所述開口部露出的所述半導(dǎo)體基板之上形成第1金屬；

通過剝離法將所述第1抗蝕層和所述第1抗蝕層之上的所述第1金屬去除；

在所述絕緣膜之上形成使所述第1金屬露出的第2抗蝕層；

通過無電解鍍法在所述第1金屬生長第2金屬；以及

去除所述第2抗蝕層，

所述第1金屬比所述絕緣膜薄，

所述第2抗蝕層的側(cè)面與所述第1金屬直接相接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第2抗蝕層的開口寬度越接近所述半導(dǎo)體基板越小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第2金屬形成得比所述第2抗蝕層厚。

4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，依次具有以下工序：

在半導(dǎo)體基板之上形成絕緣膜，該絕緣膜具有形成了開口的開口部；

在避開所述開口部和通過所述開口部露出的所述半導(dǎo)體基板的同時(shí)，在所述絕緣膜之上形成第1抗蝕層；

通過蒸鍍法或者濺射法，在所述開口部、所述第1抗蝕層和通過所述開口部露出的所述半導(dǎo)體基板之上形成第1金屬；

通過剝離法將所述第1抗蝕層和所述第1抗蝕層之上的所述第1金屬去除；

在所述絕緣膜之上形成使所述第1金屬露出的第2抗蝕層；

通過無電解鍍法在所述第1金屬生長第2金屬；以及

去除所述第2抗蝕層，

所述第2抗蝕層的開口寬度越接近所述半導(dǎo)體基板越小，

所述第2抗蝕層的側(cè)面與所述第1金屬直接相接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第2金屬形成得比所述第2抗蝕層厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在去除所述第2抗蝕層之后形成將所述第2金屬覆蓋的絕緣保護(hù)膜；

在所述半導(dǎo)體基板之上形成第3抗蝕層，該第3抗蝕層使在所述第2金屬之上形成的所述絕緣保護(hù)膜和在所述第2金屬的側(cè)面形成的所述絕緣保護(hù)膜露出；

在所述絕緣保護(hù)膜形成第3金屬；以及

去除所述第3抗蝕層，

所述絕緣保護(hù)膜通過等離子體CVD法、熱CVD法、濺射法或者ALD法形成，

所述第3金屬通過濺射法或者蒸鍍法形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

在去除所述第2抗蝕層之后形成將所述第2金屬覆蓋的絕緣保護(hù)膜；

在所述半導(dǎo)體基板之上形成第3抗蝕層，該第3抗蝕層使在所述第2金屬之上形成的所述絕緣保護(hù)膜和在所述第2金屬的側(cè)面形成的所述絕緣保護(hù)膜露出；

在所述絕緣保護(hù)膜形成第3金屬；以及

去除所述第3抗蝕層，

該半導(dǎo)體裝置的制造方法具有通過無電解鍍法形成與所述第3金屬相接的第4金屬的工序。