[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780091245.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110678960B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上野貴寬;玉田尚久;北川寬士
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/027
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/027;G03F7/26;G03F7/40
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序，即：

在襯底的上表面涂敷抗蝕層；

在所述抗蝕層形成開(kāi)口部；

收縮劑涂敷工序，在所述抗蝕層之上涂敷熱收縮的收縮劑，將所述開(kāi)口部填埋；

收縮工序，通過(guò)加熱所述收縮劑使所述收縮劑熱收縮，從而將所述開(kāi)口部的寬度變窄；

去除工序，在所述收縮工序之后去除所述收縮劑；

金屬層形成工序，在所述去除工序之后，在所述抗蝕層之上和所述開(kāi)口部形成金屬層；以及

去除所述金屬層中的位于所述抗蝕層之上的部分和所述抗蝕層，

在所述收縮工序中，形成所述開(kāi)口部的所述抗蝕層的側(cè)面形成在所述抗蝕層的厚度方向的中央部朝向所述開(kāi)口部的中心部而凸出的曲面，

在所述去除工序中，通過(guò)水洗處理而去除所述收縮劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述收縮劑不與所述抗蝕層發(fā)生反應(yīng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述金屬層形成工序之前，反復(fù)實(shí)施所述收縮劑涂敷工序、所述收縮工序以及所述去除工序。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

所述抗蝕層的厚度大于或等于所述金屬層的厚度的2倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述金屬層形成工序中，通過(guò)使所述金屬層的材料從與所述襯底的上表面垂直的方向堆疊，從而形成所述金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述開(kāi)口部形成的金屬層的底面的寬度比所述開(kāi)口部的在所述襯底之上的寬度窄。